超威半导体公司贾格迪什·B·科特拉获国家专利权
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龙图腾网获悉超威半导体公司申请的专利硬件辅助的动态随机存取存储器(DRAM)行合并获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115485669B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180032975.0，技术领域涉及：G06F12/02；该发明授权硬件辅助的动态随机存取存储器(DRAM)行合并是由贾格迪什·B·科特拉设计研发完成，并于2021-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本硬件辅助的动态随机存取存储器(DRAM)行合并在说明书摘要公布了：硬件辅助的动态随机存取存储器DRAM行合并包括：由存储器控制器在DRAM模块中识别存储相同数据的多个行；在映射表中存储将多个行中的一个行或多个行映射到另一个行的数据；以及从DRAM模块的刷新排除该一个或多个行。
本发明授权硬件辅助的动态随机存取存储器(DRAM)行合并在权利要求书中公布了：1.一种用于硬件辅助的动态随机存取存储器DRAM行合并的方法，所述方法包括： 由存储器控制器在映射表中将DRAM模块中存储相同数据的多个行中的一个行或多个行映射到代表性行，所述代表性行是从存储所述相同数据的所述多个行中选择的； 存储映射行应被排除在刷新之外的指示；以及 基于所述指示，从刷新排除所述映射行。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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