中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王洪岩获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利CMOS结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472570B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110656637.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权CMOS结构及其形成方法是由王洪岩;汤汉杰设计研发完成，并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请技术方案提供一种CMOS结构及其形成方法，其中所述形成方法包括：将提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面形成有交替分布的PMOS沟道层和贯穿所述PMOS沟道层的NMOS沟槽；在所述PMOS沟道层的表面及所述NMOS沟槽中形成NMOS沟道材料层，所述NMOS沟道材料层的表面具有凹陷；在所述凹陷处填充牺牲层，且所述牺牲层和所述NMOS沟道材料层的表面共面；去除所述牺牲层和部分所述NMOS沟道材料层，在所述PMOS沟道层的表面形成保护层，在所述NMOS沟槽中形成NMOS沟道层，且所述保护层和所述NMOS沟道层的表面共面。本申请技术方案的形成方法能够有效地避免PMOS沟道层表面出现的晶格受损、划伤、厚度均一性差等问题，提高器件性能。
本发明授权CMOS结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面形成有交替分布的PMOS沟道层和贯穿所述PMOS沟道层的NMOS沟槽； 在所述PMOS沟道层的表面及所述NMOS沟槽中形成NMOS沟道材料层，所述NMOS沟道材料层的表面具有凹陷； 在所述凹陷处填充牺牲层，且所述牺牲层和所述NMOS沟道材料层的表面共面； 去除所述牺牲层和部分所述NMOS沟道材料层,在所述PMOS沟道层的表面形成保护层，在所述NMOS沟槽中形成NMOS沟道层，且所述保护层和所述NMOS沟道层的表面共面。
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