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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种提升抗疲劳特性的并五苯有机场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210997279.X，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种提升抗疲劳特性的并五苯有机场效应晶体管是由于天鹏;殷江;夏奕东;刘治国设计研发完成，并于2022-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升抗疲劳特性的并五苯有机场效应晶体管在说明书摘要公布了：一种提升抗疲劳特性的并五苯有机场效应晶体管，在并五苯有机场效应晶体管结构中设置有n‑型半导体层及具有浅能级陷阱的电荷俘获层；器件具有底栅型结构：栅电极栅绝缘层n‑型半导体薄膜具有浅能级陷阱的电荷俘获介质层隧穿层并五苯源漏电极；栅电极为导体，电阻率在0.1‑0.001Ω·㎝之间；栅绝缘层介质薄膜为绝缘体，厚度范围为5‑150nm；n‑型半导体薄膜层的厚度为1‑200nm；具有浅能级空穴陷阱的电荷俘获介质层，厚度为1‑100nm；隧穿层为绝缘体，厚度范围为1‑20nm；并五苯厚度范围为1‑100nm；源漏电极为导体，厚度范围为50‑200nm；栅电极为导体。

本发明授权一种提升抗疲劳特性的并五苯有机场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种提升抗疲劳特性的并五苯有机场效应晶体管，其特征是，在并五苯有机场效应晶体管结构中设置有n-型半导体层及具有浅能级陷阱的电荷俘获层； 器件具有底栅型结构：从下到上分别是， 栅电极栅绝缘层-型半导体薄膜具有浅能级陷阱的电荷俘获介质层隧穿层并五苯源漏电极；栅电极为导体，电阻率在0.1-0.001之间；栅绝缘层介质薄膜为绝缘体，厚度范围为5-150nm；n-型半导体薄膜层的厚度为1-200nm；具有浅能级空穴陷阱的电荷俘获介质层，厚度为1-100nm；隧穿层为绝缘体，厚度范围为1-20nm；并五苯厚度范围为1-100nm；源漏电极为导体，电阻率在0.1-0.001之间，厚度范围为50-200nm； 栅电极为导体，电阻率在0.1-0.001之间；栅绝缘层介质薄膜为绝缘体，厚度范围为5-150nm；n-型半导体薄膜的厚度为1-200nm；具有浅能级空穴陷阱的电荷俘获介质，厚度为1-100nm；隧穿层为绝缘体，厚度范围为1-20nm；并五苯厚度范围为1-100nm；源漏电极为导体，电阻率在0.1-0.001之间，厚度范围为50-200nm； 栅电极是金属、导电氮化物或导电氧化物材料；底栅型场效应晶体管的栅电极是n-型重掺高导硅或者p-型重掺高导硅等半导体材料;底栅型场效应晶体管的栅电极或是柔性的带导电涂层的基板；栅绝缘层介质薄膜是二氧化硅或氧化铝绝缘体，阻挡被n-型半导体薄膜俘获的电荷逃逸到栅电极；栅绝缘层介质薄膜是聚合物绝缘体，包括PMMA或PVDF-TrFE。

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