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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、电路及电路工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411052B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110507410.5，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权半导体结构及其形成方法、电路及电路工作方法是由汤飞设计研发完成，并于2021-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法、电路及电路工作方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，所述衬底包括第一阱区和第二阱区；位于第一阱区上的第一栅极结构和第一沟道区，所述第一沟道区位于第一栅极结构底部的第一阱区内，第一沟道区的导电类型与第一阱区的导电类型相同；位于第二阱区上的第二栅极结构、第二沟道区以及位于第二栅极结构两侧第二阱区内的第二源区和第二漏区，第二沟道区位于第二栅极结构底部的第二阱区内，且所述第二沟道区位于第二源区和第二漏区之间，所述第二沟道区的导电类型与第二阱区的导电类型相反，所述第二源区和第二漏区与第二沟道区的导电类型相同，所述第二漏区和第一栅极结构电互连，所述第二源区和第一阱区电互连。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。

本发明授权半导体结构及其形成方法、电路及电路工作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括第一阱区和第二阱区； 位于第一阱区上的第一栅极结构和第一沟道区以及位于第一栅极结构两侧第一阱区内的第一源区和第一漏区，所述第一沟道区位于第一栅极结构底部的第一阱区内，所述第一沟道区的导电类型与第一阱区的导电类型相同，所述第一源区和第一漏区的导电类型与第一阱区的导电类型相反，所述第一栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的栅极层； 位于第二阱区上的第二栅极结构、第二沟道区以及位于第二栅极结构两侧第二阱区内的第二源区和第二漏区，所述第二沟道区位于第二栅极结构底部的第二阱区内，且所述第二沟道区位于第二源区和第二漏区之间，所述第二沟道区的导电类型与第二阱区的导电类型相反，所述第二源区和第二漏区与第二沟道区的导电类型相同，所述第二漏区和第一栅极结构电互连，所述第二栅极结构与所述第二沟道区相接触，所述第二栅极结构内具有掺杂离子，所述掺杂离子的导电类型与第二沟道区的导电类型相反； 位于第一阱区表面的第一连接区，所述第二源区和第一阱区通过第一连接区电互连。

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