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龙图腾网获悉中山大学申请的专利基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115407532B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211167513.2，技术领域涉及：G02F1/017；该发明授权基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件是由蔡鑫伦;张仙设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件在说明书摘要公布了：本发明涉及光学器件技术领域，提出一种基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件。其中，包括薄膜铌酸锂光子芯片，薄膜铌酸锂光子芯片上通过异质集成晶圆键合技术集成有III‑V有源波导层；薄膜铌酸锂光子芯片上设置有铌酸锂波导层，铌酸锂波导层的输出端与III‑V有源波导层的输入端垂直倏逝波耦合；III‑V有源波导层上覆盖有N型金属电极和P型金属电极。本发明通过异质集成晶圆键合技术将III‑V有源波导层集成到铌酸锂光子芯片上，实现了薄膜铌酸锂平台片上光探测的功能。III‑V有源波导层与薄膜铌酸锂光子芯片通过优化设计的III‑VLN模斑转换器以垂直倏逝波耦合的方式光学互连，实现III‑V有源波导层与铌酸锂波导之间的高效率耦合。

本发明授权基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件在权利要求书中公布了：1.基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构，其特征在于，包括薄膜铌酸锂光子芯片100，所述薄膜铌酸锂光子芯片100上通过异质集成晶圆键合技术集成有III-V有源波导层200； 所述薄膜铌酸锂光子芯片100上设置有铌酸锂波导层110，所述铌酸锂波导层110的输出端与所述III-V有源波导层200的输入端垂直倏逝波耦合；所述III-V有源波导层200上覆盖有N型金属电极300和P型金属电极400； 其中，所述III-V有源波导层200为双层级联锥形波导结构，其中下层为III-V族锥形波导205，上层为由N型金属层201、多量子阱层202、P型包层203和P型金属层204依次堆叠构成的III-V族光探测器；以及，所述铌酸锂波导层110包括依次连接的光栅耦合器111、铌酸锂直波导112和铌酸锂锥形波导113，所述光栅耦合器111与外部单模光纤耦合；所述铌酸锂锥形波导113与所述III-V族锥形波导205直接垂直倏逝波耦合，组成III-VLN光模斑转换器且保持模式匹配。

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