台湾积体电路制造股份有限公司李欣怡获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件中的栅极结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210344564.1，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件中的栅极结构及其形成方法是由李欣怡;张文;张翔笔;赵皇麟;程仲良;徐志安;李昆育;沈泽民;董彦佃;吴俊毅设计研发完成，并于2022-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件中的栅极结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件中的栅极结构及其形成方法。一种方法，包括去除第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠以形成第一沟槽和第二沟槽。所述第一虚设栅极堆叠和所述第二虚设栅极堆叠分别位于第一器件区和第二器件区。所述方法还包括沉积分别延伸到所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一栅极电介质层和第二栅极电介质层；形成含氟层，所述含氟层包括在所述第一栅极电介质层之上的第一部分和在所述第二栅极电介质层之上的第二部分；去除所述含氟层的第二部分；执行退火工艺以将所述含氟层的第一部分中的氟扩散到所述第一栅极电介质层中；和在所述退火工艺之后，分别在所述第一栅极电介质层和所述第二栅极电介质层之上形成第一功函数层和第二功函数层。
本发明授权半导体器件中的栅极结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 去除第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠以形成第一沟槽和第二沟槽，其中，所述第一虚设栅极堆叠和所述第二虚设栅极堆叠分别位于第一器件区和第二器件区； 沉积分别延伸到所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一栅极电介质层和第二栅极电介质层； 形成含氟层，所述含氟层包括在所述第一栅极电介质层之上的第一部分和在所述第二栅极电介质层之上的第二部分； 去除所述含氟层的第二部分； 执行退火工艺以将所述含氟层的第一部分中的氟扩散到所述第一栅极电介质层中；以及 在所述退火工艺之后，分别在所述第一栅极电介质层和所述第二栅极电介质层之上形成第一功函数层和第二功函数层， 其中，所述方法还包括：在执行所述退火工艺之后，将偶极掺杂剂物质扩散到所述第一栅极电介质层中，并且在所述第一栅极电介质层中形成结合的氟-偶极物质。
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