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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种抗功耗分析攻击单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346587B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211028648.0，技术领域涉及：G11C16/22；该发明授权一种抗功耗分析攻击单元是由柏娜;李航;许耀华;王翊;马君武;陈冲设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗功耗分析攻击单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗功耗分析攻击单元，其由一类第一MOS管、一类第二MOS管、一类第三MOS管、一类第四MOS管、一类第五MOS管、二类第一MOS管、二类第二MOS管、二类第三MOS管、二类第四MOS管构成。本发明的抗功耗分析攻击单元能够使得单元功耗与读出的数据无关，继承了传统单元在读操作时对抗功耗攻击的天然优势，保持了功耗与读出数据的低相关性，而且能够达到数据翻转和数据保持时的功耗平衡，并且由于在写操作开始阶段存储点数据刷新，无论第一存储点初始储存的数据是什么，都可以保证功耗的一致性，并且综合看存储点读、写任何数据时都只消耗单个位线的能量，因此存储点总体功耗也较低。

本发明授权一种抗功耗分析攻击单元在权利要求书中公布了：1.一种抗功耗分析攻击单元，其特征在于，包括： 一类第一MOS管；一类第二MOS管；一类第三MOS管；一类第四MOS管；一类第五MOS管；二类第一MOS管；二类第二MOS管；二类第三MOS管；二类第四MOS管； 所述一类第一MOS管的源极连接第一位线，所述一类第一MOS管的栅极与写字线信号连接，所述一类第一MOS管的漏极连接二类第一MOS管的栅极、一类第三MOS管的栅极以及二类第二MOS管的漏极，所述二类第一MOS管的源极连接二类第二MOS管的源极并连接到电源端，所述一类第二MOS管的栅极连接写控制信号，所述一类第二MOS管的源极连接二类第二MOS管的栅极，所述二类第一MOS管的漏极和一类第三MOS管的源极围成第二存储节点，所述一类第二MOS管的漏接连接一类第三MOS管的栅极，所述一类第二MOS管的漏极和二类第二MOS管的漏极围成第一存储点，所述一类第三MOS管的漏极连接接地端； 所述二类第三MOS管的源极连接第二位线，所述二类第三MOS管的栅极连接二类第一MOS管的漏极、一类第三MOS管的源极以及第二存储点，所述二类第三MOS管的漏极与一类第四MOS管的源极连接，所述一类第四MOS管的栅极与读字线信号连接，所述一类第四MOS管的漏极与二类第四MOS管的漏极连接并接到接地端，所述二类第四MOS管的栅极接到第二存储点，二类第四MOS管的源极与一类第五MOS管的漏极相连，所述一类第五MOS管的栅极连接读控制信号，所述一类第五MOS管的源极与第一位线连接。

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