江苏第三代半导体研究院有限公司李利哲获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利紫外和可见光的混合光源及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312559B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210949898.1，技术领域涉及：H10H29/24；该发明授权紫外和可见光的混合光源及其制备方法是由李利哲;刘宗亮设计研发完成，并于2022-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本紫外和可见光的混合光源及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种紫外和可见光的混合光源及其制备方法。所述方法包括如下步骤：提供一衬底，衬底包括第一、第二区域，第二区域围绕第一区域；使用第一掩膜版遮挡第二区域，并在第一区域形成第一欧姆层和第一N型层；分别使用第三、第四、第五掩膜版在第一N型层表面形成第一、第二、第三单色发光量子阱层；使用第二掩膜版形成第一P型层，形成白光光源堆叠结构；使用第六掩膜版遮挡第一区域并在第二区域形成紫外光源堆叠结构；在白光光源区域以及紫外光源区域同步形成电极。上述技术方案提出的用于照明的白光光源没有荧光胶和发光量子点，能够在紫外光源配合使用时延长使用寿命并减少能耗。
本发明授权紫外和可见光的混合光源及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种紫外和可见光的混合光源，其特征在于，包括： 衬底； 所述衬底表面的第一区域和第二区域，其中，所述第二区域围绕所述第一区域； 位于所述第一区域的至少一个由多颗单色LED混色形成的白光光源； 位于所述第二区域的紫外光源； 其中，所述白光光源包括层叠设置的第一N型层和第一欧姆接触层，所述白光光源中的多颗单色LED共用第一N型层和第一欧姆接触层；所述紫外光源包括第二N型层，所述第二N型层包括N型AlGaN层和设置于所述N型AlGaN层上的Al渐变的N型AlaGa1-aN层，且Al渐变的N型AlaGa1-aN的掺杂浓度大于N型AlGaN层的掺杂浓度，a的范围为0.2～0.65，并且Al渐变的N型AlaGa1-aN层中的各层的a的数值从下到上逐渐增大。
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