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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249745B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110460675.4，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵猛设计研发完成，并于2021-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：衬底；位于所述衬底上的第一鳍部；位于所述衬底上的第二鳍部，所述第二鳍部包括位于所述衬底上的第一阻挡层、位于所述第一阻挡层上的第二阻挡层、以及位于所述第二阻挡层上的沟道层；位于第一鳍部内和部分衬底内的第一阱区；位于第二鳍部内和部分衬底内的第二阱区；位于所述衬底表面的隔离结构层，所述隔离结构层位于所述第一鳍部和所述第二鳍部侧壁，且所述隔离结构层暴露出所述沟道层。所述第一阻挡材料层可以阻挡初始第一阱区内的掺杂离子向沟道材料层的横向扩散，以使后续形成的第一鳍部和第二鳍部内的掺杂离子浓度稳定，提高了形成的器件的沟道区内掺杂离子浓度的稳定性，从而提高器件的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供初始衬底，所述初始衬底包括第一区和与所述第一区相邻的第二区； 在所述第一区内形成初始第一阱区； 在所述第二区内形成初始第二阱区，所述初始第二阱区的导电类型和所述初始第一阱区的导电类型不同； 刻蚀所述第二区，在所述初始衬底内形成凹槽，所述凹槽侧壁暴露出所述初始第一阱区侧壁； 对所述凹槽侧壁暴露出的所述初始第一阱区进行改性处理，形成第一阻挡材料层； 形成所述第一阻挡材料层后，在所述凹槽内形成沟道材料层，所述第一阻挡材料层用于阻挡所述初始第一阱区内的掺杂离子向所述沟道材料层的横向扩散； 刻蚀所述初始衬底和所述沟道材料层，形成衬底、位于所述衬底上的第一鳍部和第二鳍部、位于第一鳍部内和部分衬底内的第一阱区、以及位于第二鳍部内和部分衬底内的第二阱区，所述第一鳍部由所述初始衬底的第一区形成，所述第二鳍部由所述初始衬底的第二区和所述沟道材料层形成，所述第二鳍部包括以所述沟道材料层形成的沟道层，所述第一阱区由所述初始第一阱区形成，所述第二阱区由所述初始第二阱区形成。

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