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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249743B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110452678.3，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈建设计研发完成，并于2021-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；第一介质层以及栅极结构，栅极结构包括金属栅层，栅极结构位于衬底上，且第一介质层覆盖栅极结构的侧壁；位于栅极结构的顶部表面的第一金属层；位于第一介质层上的第二介质层；位于第一介质层和第二介质层内的若干第一开口，第一开口暴露出第一金属层的部分顶部表面；位于第一开口内的第一导电插塞。由于金属选择性生长工艺是利用金属钨能够在金属表面生长的特性，因此先在栅极结构的顶部表面形成了第一金属层，进而能够通过金属选择性生长工艺形成第一导电插塞。避免了额外在第一开口内形成高阻止的附着层，降低了第一导电插塞与栅极结构之间的接触电阻，提升最终形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 第一介质层以及栅极结构，所述栅极结构包括金属栅层，所述栅极结构位于所述衬底上，且所述第一介质层覆盖所述栅极结构的侧壁； 位于所述栅极结构的顶部表面的第一金属层； 位于所述第一介质层上的第二介质层； 位于所述第二介质层内的若干第一开口，所述第一开口暴露出所述第一金属层的部分顶部表面； 位于所述第一开口内的第一导电插塞；其中， 所述第一导电插塞基于所述第一金属层采用金属选择性生长工艺形成； 所述第一导电插塞的形成方法包括：采用金属选择性生长工艺在所述第一开口内形成初始导电结构，所述初始导电结构的顶部表面高于所述第二介质层的顶部表面；在高于所述第二介质层的所述初始导电结构的表面、以及所述第二介质层的顶部表面形成附着层；在所述附着层上形成导电层，所述导电层的顶部表面齐平；对所述初始导电结构和所述导电层进行平坦化处理，直至暴露出所述第二介质层的表面为止，形成所述第一导电插塞。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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