美光科技公司A·M·贝利斯获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利制造微电子装置的方法以及相关微电子装置、工具和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210457775.6，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权制造微电子装置的方法以及相关微电子装置、工具和设备是由A·M·贝利斯;B·P·沃兹设计研发完成，并于2022-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造微电子装置的方法以及相关微电子装置、工具和设备在说明书摘要公布了：一种制造微电子装置的方法以及相关微电子装置、工具和设备，其包含微电子装置，所述微电子装置可具有侧表面，所述侧表面各自包含第一部分和第二部分。所述第一部分可具有从所述微电子装置的邻近表面延伸的高度不规则表面构形。所述第二部分可具有从所述第一部分延伸到所述微电子装置的对置表面的程度较轻的不平整表面。形成微电子装置的方法可包含：通过植入离子在所述一或多个微电子装置之间的过道中在晶片中产生位错；以及经由施加热、张力或其组合而响应于在所述位错附近的应力集中故障而使所述晶片分裂。还公开了相关封装和方法。
本发明授权制造微电子装置的方法以及相关微电子装置、工具和设备在权利要求书中公布了：1.一种微电子装置，其包括： 半导体材料，其包含有源表面和与所述有源表面相对的后表面； 所述半导体材料的侧表面，其在所述有源表面与所述后表面之间延伸，且包含： 具有高度不规则表面构形的第一部分，所述第一部分包含残余离子，所述高度不规则表面构形从所述微电子装置的所述有源表面和所述后表面中的一者延伸2μm与6μm之间的距离；以及 第二部分，所述第二部分不包含所述残余离子，其从所述第一部分延伸到所述有源表面和所述后表面中的另一者、具有程度较轻的不平整表面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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