格科微电子(上海)有限公司杨瑞坤获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉格科微电子(上海)有限公司申请的专利半导体工艺中对准标记的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148652B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110351063.1，技术领域涉及：H10P72/50；该发明授权半导体工艺中对准标记的形成方法是由杨瑞坤设计研发完成，并于2021-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺中对准标记的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体工艺中对准标记的形成方法，在器件区域和对准区域同时刻蚀形成沟槽，在对准区域的沟槽内填充介质层后，于器件区域和对准区域形成盖帽外延层，通过控制对准区域的沟槽宽度和盖帽外延层厚度，使得盖帽外延层在介质层上方未完全闭合，利用盖帽外延层的缺口作为半导体基底正面的对准标记，利用介质层的底部作为半导体基底背面的对准标记，既能避免外延之后的平坦化处理过程导致对准信号衰减或消失，又不会增加对准误差，同时保证正面对准信号、背面对准信号的清晰和精度，提高工艺可靠性。
本发明授权半导体工艺中对准标记的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺中对准标记的形成方法，其特征在于，包括： 提供具有正面和背面的半导体基底，定义器件区域和对准区域； 分别于半导体基底正面的器件区域和对准区域同时刻蚀形成沟槽； 于对准区域的沟槽内填充介质层，通过化学机械研磨对器件区域和对准区域进行平坦化； 于器件区域和对准区域形成盖帽外延层，通过控制对准区域的沟槽宽度和盖帽外延层厚度，使得盖帽外延层在介质层上方未完全闭合，利用盖帽外延层的缺口作为半导体基底正面的对准标记，利用位于盖帽外延层下方的介质层的底部作为半导体基底背面的对准标记； 于器件区域形成半导体器件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人格科微电子(上海)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励