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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储结构及其制作方法、三维存储器及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020209B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210563009.8，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维存储结构及其制作方法、三维存储器及存储系统是由颜丙杰;谢景涛设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维存储结构及其制作方法、三维存储器及存储系统在说明书摘要公布了：本申请涉及一种三维存储结构及其制作方法、三维存储器及存储系统，包括：形成堆叠结构，堆叠结构包括多个栅极牺牲层和多个层间绝缘层，栅极牺牲层和层间绝缘层在第一方向上交替层叠设置，多个栅极牺牲层包括选择栅极牺牲层和存储栅极牺牲层；形成在第一方向上贯穿堆叠结构的沟道结构，沟道结构包括电荷捕获层和围绕电荷捕获层的电荷阻挡层；去除选择栅极牺牲层，并至少去除对应于选择栅极牺牲层位置的电荷阻挡层和电荷捕获层，以形成选择栅极间隙；在选择栅极间隙中形成选择栅极层，从而能够改善三维存储器中选择晶体管的性能，以提高三维存储器的整体性能。

本发明授权三维存储结构及其制作方法、三维存储器及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种三维存储结构的制作方法，其特征在于，包括： 形成堆叠结构，所述堆叠结构包括多个栅极牺牲层和多个层间绝缘层，所述栅极牺牲层和所述层间绝缘层在第一方向上交替层叠设置，所述多个栅极牺牲层包括选择栅极牺牲层和存储栅极牺牲层； 形成在所述第一方向上贯穿所述堆叠结构的沟道结构，所述沟道结构包括电荷捕获层和围绕所述电荷捕获层的电荷阻挡层； 去除所述选择栅极牺牲层，并至少去除对应于所述选择栅极牺牲层位置的所述电荷阻挡层和所述电荷捕获层，以形成选择栅极间隙； 在所述选择栅极间隙中形成选择栅极层； 形成所述选择栅极间隙的步骤，具体包括： 去除所述选择栅极牺牲层，以形成第一间隙，从而于所述第一间隙露出部分所述电荷阻挡层； 去除露出于所述第一间隙的所述电荷阻挡层，以形成包括所述第一间隙的第二间隙，从而于所述第二间隙露出部分所述电荷捕获层； 去除露出于所述第二间隙的所述电荷捕获层，以形成包括所述第二间隙的所述选择栅极间隙； 所述选择栅极牺牲层的厚度大于所述存储栅极牺牲层的厚度；所述选择栅极牺牲层的厚度与所述存储栅极牺牲层的厚度之比值介于2至6之间； 所述三维存储结构包括在所述第一方向上贯穿所述堆叠结构的栅线缝隙，且所述选择栅极牺牲层的厚度小于所述栅线缝隙的宽度。

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