深圳市华星光电半导体显示技术有限公司艾娜获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883367B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210485046.1，技术领域涉及：H10K59/123；该发明授权显示面板及其制备方法、显示装置是由艾娜设计研发完成，并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示装置；该显示面板包括基板、位于基板上方的辅助电极和第一导电层、位于辅助电极上的第一膜层、导电体、位于第一导电层和第一膜层上方的有机层及位于有机层上方的第二导电层，其中，第一膜层设有暴露辅助电极的第一通孔，导电体位于第一通孔内，在第一通孔内，有机层在缺口区域断开，第二电极在缺口区域通过导电体电性连接于辅助电极。本发明实施例通过在第一通孔内设置导电体，该导电体将有机层顶断顶穿形成缺口区域，使第二电极和辅助电极在有机层的缺口区域通过导电体电性连接，降低了辅助电极与第二电极之间的第一通孔的电阻值。
本发明授权显示面板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括： 基板； 辅助电极，位于所述基板上； 第一膜层，位于所述辅助电极上，设有暴露所述辅助电极的第一通孔； 导电体，位于所述第一通孔内，所述导电体为锡珠； 第一导电层，设置于所述基板上方，包括多个第一电极； 有机层，设置于所述第一导电层和所述第一膜层上方，所述导电体的电阻率小于所述有机层的电阻率，所述导电体的熔点小于所述有机层的损坏温度； 第二导电层，设置于所述有机层上方，包括第二电极，部分所述有机层电性连接于所述第一电极和所述第二电极之间； 其中，在所述第一通孔内，所述有机层在缺口区域断开，所述第二电极在所述缺口区域通过所述导电体电性连接于所述辅助电极; 所述有机层包括第一部分，所述第一部分设置在所述第一膜层上，所述导电体的顶部与所述辅助电极的距离大于所述第一部分的顶面与所述辅助电极的距离; 所述有机层还包括第二部分，所述第二部分与所述第一部分断开，所述第二部分位于所述导电体和所述第二电极之间。
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