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龙图腾网获悉丰非芯(上海)科技有限公司申请的专利一种晶圆结构的切片方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114783948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210357989.6，技术领域涉及：H10P54/40；该发明授权一种晶圆结构的切片方法是由辛春艳设计研发完成，并于2022-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆结构的切片方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种晶圆结构的切片方法，所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干器件区和若干切割道区；在所述器件区形成第一沟槽、以及在所述切割道区形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；在所述第一沟槽中形成半导体器件、同时在所述第二沟槽的底部和侧壁形成填充层，所述第二沟槽在深度方向具有贯穿孔；在所述晶圆第一面形成承载基底；使所述第二沟槽的贯穿孔贯穿所述晶圆；去除所述承载基底，使所述若干器件区分离。本申请所述的晶圆结构的切片方法，可以避免对晶圆造成损坏，提高器件可靠性，提高切割晶圆的效率，节约成本。

本发明授权一种晶圆结构的切片方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆结构的切片方法，其特征在于，包括： 提供晶圆，所述晶圆包括若干用于形成半导体器件的器件区和若干用于形成切割道的切割道区，所述晶圆包括相对的第一面和第二面； 在所述晶圆第一面的器件区形成第一沟槽、以及在所述晶圆第一面的切割道区形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度以保证在所述第一沟槽中形成半导体器件时所述第二沟槽不会被填满且所述第二沟槽的位置与切割道位置对应，所述第一沟槽的宽度根据所述半导体器件的尺寸来设置，所述第一沟槽的宽度为所述第二沟槽的宽度的20%至60%，所述第一沟槽和所述第二沟槽同步形成； 在所述第一沟槽中形成填满所述第一沟槽的半导体器件、同时在所述第二沟槽的底部和侧壁形成未填满所述第二沟槽的填充层，其中，所述第二沟槽在深度方向具有贯穿孔； 沿所述贯穿孔刻蚀加深所述贯穿孔，使所述贯穿孔底面低于所述第一沟槽底面且所述贯穿孔不贯穿所述晶圆； 在所述晶圆第一面形成承载基底； 使所述第二沟槽的贯穿孔贯穿所述晶圆； 去除所述承载基底，使所述若干器件区分离。

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