中国电子科技集团公司第十一研究所张智超获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十一研究所申请的专利红外探测器拼接基板制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114779595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210203924.6，技术领域涉及：G03F9/00；该发明授权红外探测器拼接基板制备方法是由张智超;张磊;王成刚;杨刚;许家昌设计研发完成，并于2022-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本红外探测器拼接基板制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种红外探测器拼接基板制备方法，红外探测器拼接基板制备方法包括：清洗基板；在清洗后的基板的第一表面制备至少一个定位标记，定位标记为厚度为h的金属图案；在制备完定位标记的第一表面制备至少一个金属引线，金属引线的厚度为H，且满足：H＞h。采用本发明，通过对拼接基板上的定位标记图形和金属引线图形分别制备，并设计不同的膜层厚度，在满足电学引线结构的电流承载能力的同时，提高了拼接对准标记的图形加工精度，降低了拼接基板的加工难度，有利于提升探测器子模块的拼接精度。
本发明授权红外探测器拼接基板制备方法在权利要求书中公布了：1.一种红外探测器拼接基板制备方法，其特征在于，包括： 清洗基板； 在清洗后的基板的第一表面采用干法刻蚀工艺制备至少一个定位标记，所述定位标记为厚度为h的金属图案； 在制备完定位标记的第一表面采用剥离工艺制备至少一个金属引线，所述金属引线的厚度为H，且满足：H＞h； 所述h满足：300Å≤h≤1000Å； 所述在制备完定位标记的第一表面制备至少一个金属引线，包括： 在制备完定位标记的第一表面制备第二光刻胶掩膜图形； 在制备有第二光刻胶掩膜图形的第一表面沉积厚度为H的第二金属层； 将沉积有第二金属层的基板放入丙酮中浸泡，以溶解所述第二光刻胶掩膜图形； 所述在制备有第二光刻胶掩膜图形的第一表面沉积厚度为H的第二金属层，包括： 依次在制备有第二光刻胶掩膜图形的第一表面沉积厚度为H1的Cr金属层和厚度为H2的Au金属层； 所述H1满足：300Å≤H1≤1000Å； 所述H2满足：8000Å≤H2≤15000Å。
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