东京毅力科创株式会社佐佐木芳彦获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利喷淋头的制造方法、喷淋头以及等离子体处理装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114613656B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111423900.3,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权喷淋头的制造方法、喷淋头以及等离子体处理装置是由佐佐木芳彦;南雅人设计研发完成,并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本喷淋头的制造方法、喷淋头以及等离子体处理装置在说明书摘要公布了:本发明提供能够抑制在高温使用时在套筒的周围产生裂纹的喷淋头的制造方法、喷淋头以及等离子体处理装置。制造在向基板实施利用等离子体的处理的等离子体处理装置中向配置有基板并生成等离子体的腔室内的等离子体生成空间喷出用于生成等离子体的处理气体的喷淋头的制造方法包括:准备金属制的基材的工序,该金属制的基材构成主体部的具有气体喷出孔的部分,并具有套筒安装孔;将套筒安装于基材的套筒安装孔的工序,在所述套筒的内部具有气体喷出孔;对基材和套筒进行HIP处理,将套筒HIP接合于基材的工序;以及在基材的腔室侧的面和套筒的腔室侧的面形成陶瓷制的喷镀膜的工序。
本发明授权喷淋头的制造方法、喷淋头以及等离子体处理装置在权利要求书中公布了:1.一种喷淋头的制造方法,其为制造在向基板实施利用等离子体的处理的等离子体处理装置中向配置有所述基板并生成等离子体的腔室内的等离子体生成空间喷出用于生成所述等离子体的处理气体的喷淋头的制造方法,其中, 所述喷淋头具有:主体部,其具有多个喷出所述处理气体的气体喷出孔;以及气体扩散空间,其设于所述主体部内,被导入所述处理气体,并与所述气体喷出孔连通, 所述喷淋头的制造方法包括如下工序: 准备金属制的基材的工序,该金属制的基材构成所述主体部的具有所述气体喷出孔的部分,并具有多个套筒安装孔; 将套筒安装于所述基材的各所述套筒安装孔的工序,在所述套筒的内部具有所述气体喷出孔; 对所述基材和所述套筒进行HIP处理,将所述套筒HIP接合于所述基材的工序;以及 在所述基材的所述等离子体生成空间侧的面和所述套筒的所述等离子体生成空间侧的面形成陶瓷制的喷镀膜的工序, 该喷淋头的制造方法还包括在将所述套筒HIP接合于所述基材后且在形成所述喷镀膜前,进行研磨加工或磨削加工以使所述基材的所述等离子体生成空间侧的面和所述套筒的所述等离子体生成空间侧的面齐平的工序, 该喷淋头的制造方法还包括在所述基材的所述气体扩散空间侧的面和所述套筒的所述气体扩散空间侧的面形成陶瓷制的喷镀膜的工序, 该喷淋头的制造方法还包括在将所述套筒HIP接合于所述基材后且在将喷镀膜形成于所述基材的所述气体扩散空间侧的面和所述套筒的所述气体扩散空间侧的面的工序之前,进行研磨加工或磨削加工以使所述基材的所述气体扩散空间侧的面和所述套筒的所述气体扩散空间侧的面齐平的工序。
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