买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利包含支撑结构的存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613409B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111459618.0，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权包含支撑结构的存储器装置是由王哲威;L·子言;余淑婷;付启涛设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本包含支撑结构的存储器装置在说明书摘要公布了：本申请涉及包含支撑结构的存储器装置。一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含：相应存储器单元层面及控制栅极，所述层面在衬底上方彼此上下叠放，所述控制栅极包含最靠近所述衬底的控制栅极，所述控制栅极包含形成阶梯结构的相应部分；导电触点，所述导电触点在所述阶梯结构的位置处与所述控制栅极接触，所述导电触点包含与所述控制栅极接触的导电触点；介电结构，所述介电结构位于所述控制栅极的侧壁上；以及支撑结构，所述支撑结构邻近所述导电触点并且具有从所述衬底竖直延伸的长度，所述支撑结构包含最靠近所述导电触点的支撑结构，所述支撑结构位于距所述介电结构的边缘一定距离处，其中，所述支撑结构的宽度与所述距离的比率在从1.6至2.0的范围内。

本发明授权包含支撑结构的存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，其包括： 衬底； 层面，所述层面在所述衬底上方彼此上下叠放，所述层面包含相应的存储器单元和用于所述存储器单元的多个控制栅极，所述多个控制栅极包含最靠近所述衬底的第一控制栅极而非其它控制栅极，所述多个控制栅极包含共同形成阶梯结构的相应部分； 导电触点，所述导电触点在所述阶梯结构的位置处与所述多个控制栅极接触，所述导电触点具有从所述衬底竖直延伸的不同长度，所述导电触点包含与所述第一控制栅极接触的导电触点； 介电结构，所述介电结构邻近所述层面的所述多个控制栅极的侧壁；以及 多个支撑结构，所述多个支撑结构邻近所述导电触点并且与所述多个控制栅极和所述导电触点电分离，所述多个支撑结构具有从所述衬底竖直延伸并延伸穿过所述多个控制栅极的至少一部分的长度，所述多个支撑结构包含最靠近所述导电触点的第一支撑结构而非其它支撑结构，所述第一支撑结构位于距所述介电结构的边缘一定距离处，其中，所述第一支撑结构的宽度与所述距离的比率在从1.6至2.0的范围内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。