广州华星光电半导体显示技术有限公司赵军获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582894B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210234303.4，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权阵列基板及显示面板是由赵军;吴伟;赵斌;肖军城设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供一种阵列基板及显示面板，该显示面板包括阵列基板，通过将阵列基板中的离子注入阻挡层与有源层的至少部分沟道部对位设置，利用离子注入阻挡层阻止离子注入至沟道部，以此降低氧化物薄膜晶体管的有效沟道长度，在保持氧化物薄膜晶体管的宽长比不变的情况下，可以减小氧化物薄膜晶体管的沟道的宽度，从而可以氧化物减小薄膜晶体管的尺寸，进而提高显示面板的开口率。
本发明授权阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 有源层，设置于所述衬底上，所述有源层的材料包括金属氧化物；以及 离子注入阻挡层，设置于所述有源层背离所述衬底的一侧； 其中，所述有源层包括沟道部，所述离子注入阻挡层与至少部分所述沟道部对位设置；所述阵列基板包括蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层设置于所述有源层与所述离子注入阻挡层之间； 所述有源层还包括源极接触部、漏极接触部和导体部，所述导体部设置于所述沟道部与所述源极接触部和所述漏极接触部之间，所述离子注入阻挡层与所述导体部错开设置，所述沟道部、所述源极接触部以及所述漏极接触部的离子掺杂浓度均小于所述导体部的离子掺杂浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：510700 广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之417；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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