中国科学院半导体研究所王国宏获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利MicroLED发光阵列结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551698B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210183724.9，技术领域涉及：H10H29/34；该发明授权MicroLED发光阵列结构是由王国宏;李志聪;李璟设计研发完成，并于2022-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本MicroLED发光阵列结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种MicroLED发光阵列结构，该结构包括：多个MicroLED像素单元，成行线和列线互联的阵列结构排列；所述MicroLED像素单元包括：衬底；MicroLED像素单元基片，形成于所述衬底上；以及吸收层，形成于所述衬底上，位于所述MicroLED像素单元基片两侧，并高于所述MicroLED像素单元基片的表面。
本发明授权MicroLED发光阵列结构在权利要求书中公布了：1.一种MicroLED发光阵列结构，包括： 多个MicroLED像素单元11，成行线和列线互联的阵列结构排列； 所述MicroLED像素单元11包括： 衬底1； MicroLED像素单元基片，形成于所述衬底1上；以及 吸收层9，形成于所述衬底1上，位于所述MicroLED像素单元基片两侧，并高于所述MicroLED像素单元基片的表面； 反射层10，形成于所述衬底1的底部，所述反射层10相较于所述衬底1的底部边缘缩进2-8um，以反射来自MicroLED像素单元11的可见光，使所述MicroLED像素单元11的发光均匀。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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