HOYA株式会社田边胜获国家专利权
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龙图腾网获悉HOYA株式会社申请的专利相移掩模及其底板、相移掩模以及显示装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114545726B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111362078.4，技术领域涉及：G03F1/26；该发明授权相移掩模及其底板、相移掩模以及显示装置的制造方法是由田边胜;浅川敬司;安森顺一设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本相移掩模及其底板、相移掩模以及显示装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种相移掩模底板，即使在相移膜产生膜厚波动的情况下，也能够抑制相对于曝光光的代表波长的透射率的波动而具有所期望的高的透射率并且能够进行良好的图案转印。相移掩模底板在透明基板上具有相移膜，相移膜在曝光波长的代表波长下，透射率为30％以上且80％以下，衰减系数k为0.10以上且0.25以下，折射率n为2.20以上且2.57以下，曝光波长的代表波长处于313～436nm的范围内，代表波长在相移膜的表面反射率与波长的关系中，位于相邻的短波长侧的表面反射率的谷与相邻的长波长侧的表面反射率的峰之间，相移膜含有过渡金属和硅。
本发明授权相移掩模及其底板、相移掩模以及显示装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种相移掩模底板，在透明基板上具有相移膜，其特征在于， 所述相移膜在405nm的波长下，透射率为30%以上且80%以下，相移量为160°以上且200°以下，衰减系数k为0.11以上且0.20以下，折射率n为2.20以上且2.57以下， 所述相移膜的膜厚为130nm以上且180nm以下， 所述相移膜为单层膜， 所述405nm的波长在所述相移膜的表面反射率与波长的关系中，位于相邻的短波长侧的表面反射率的谷与相邻的长波长侧的表面反射率的峰之间， 所述相移膜含有过渡金属、硅和轻元素，含有的氧和氮在内的轻元素成分的总含有量为50原子%以上且65原子%以下， 所述过渡金属是从钼、锆、钽、钨、钛中选择的一种以上的元素， 对于所述相移膜而言，在以膜厚在30nm以下的范围内发生波动的情况下、405nm的波长下的透射率的最大值与最小值之差为透射率波动值时，透射率波动值相对于膜厚发生波动前的405nm的波长下的透射率的比例为20％以下。
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