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龙图腾网获悉重庆吉芯科技有限公司申请的专利一种基于预放大级结构的比较器及模数转换器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114337618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111581695.3，技术领域涉及：H03K5/24；该发明授权一种基于预放大级结构的比较器及模数转换器是由徐代果;蒋和全;李儒章;王健安;付东兵;陈光炳;俞宙;张正平;朱璨;高炜祺设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于预放大级结构的比较器及模数转换器在说明书摘要公布了：本发明适用于集成电路技术领域，提供了一种基于预放大级结构的比较器及模数转换器，该比较器包括：第一预放大级，其输入端接差分输入信号，对差分输入信号进行放大输出，输出第一差分输出信号；第二预放大级，其输入端连接第一差分输出信号，对第一差分输出信号进行放大输出，输出第二差分输出信号，且其输出端与其输入端之间设置有正反馈单元，通过正反馈单元提高第二预放大级的电压增益；锁存器，其输入端接第二差分输出信号；通过正反馈单元提高第二预放大级的电压增益，尤其是提高了小信号的电压增益，进而能有效降低了比较器的等效输入噪声。

本发明授权一种基于预放大级结构的比较器及模数转换器在权利要求书中公布了：1.一种基于预放大级结构的比较器，其特征在于，至少包括： 第一预放大级，其输入端接差分输入信号，对所述差分输入信号进行放大输出，输出第一差分输出信号； 第二预放大级，其输入端连接所述第一差分输出信号，对所述第一差分输出信号进行放大输出，输出第二差分输出信号，且其输出端与其输入端之间设置有正反馈单元，通过所述正反馈单元提高所述第二预放大级的电压增益； 锁存器，其输入端接所述第二差分输出信号； 所述第一预放大级包括； 第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管以及第二PMOS管； 所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极接第一控制信号，所述第一NMOS管的漏极接第一节点； 所述第二NMOS管的源极与所述第一节点连接，所述第二NMOS管的栅极与所述差分输入信号连接，所述第二NMOS管的漏极与第二节点连接； 所述第三NMOS管的源极与所述第一节点连接，所述第三NMOS管的栅极与所述差分输入信号连接，所述第三NMOS管的漏极与第三节点连接； 所述第一PMOS管的漏极接所述第二节点，所述第一PMOS管的栅极接所述第一控制信 号，所述第一PMOS管的源极接工作电压； 所述第二PMOS管的漏极接所述第三节点，所述第二PMOS管的栅极接所述第一控制信 号，所述第二PMOS管的源极接所述工作电压； 所述第一差分输出信号通过所述第二节点、所述第三节点输出； 所述第二预放大级包括预放大级主体单元和所述正反馈单元，所述正反馈单元包括： 第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管以及第七NMOS管； 所述第四NMOS管的栅极与第四节点连接，所述第四NMOS管的源极与第五节点连接，所述第四NMOS管的漏极与所述第七NMOS管的栅极连接； 所述第五NMOS管的源极与所述第五节点连接，所述第五NMOS管的栅极与第六节点连接，所述第五NMOS管的漏极与所述第六NMOS管的栅极连接； 所述第六NMOS管的源极与所述第六节点连接，所述第六NMOS管的漏极与第七节点连接； 所述第七NMOS管的源极与所述第四节点连接，第七NMOS管的漏极与第八节点连接。

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