中芯集成电路(宁波)有限公司李伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利谐振器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114337584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011040491.4，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权谐振器及其形成方法是由李伟;黄河;罗海龙设计研发完成，并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本谐振器及其形成方法在说明书摘要公布了：一种谐振器及其形成方法，谐振器的形成方法包括：提供压电叠层结构，压电叠层结构包括第一区域和环绕第一区域的第二区域，压电叠层结构具有第一面和与第一面相背的第二面；在压电叠层结构的第一面上形成第一介电层；提供第一衬底，所述第一衬底的顶部具有顶部掺杂区；将第一介电层和第一衬底的顶部相键合；在压电叠层结构的第二面上形成第二介电层；刻蚀第二区域的第一介电层、压电叠层结构以及第二介电层，形成露出顶部掺杂区的第一开口和第二开口；在第一开口和第二开口中分别形成第一插塞和第二插塞。在谐振器工作时，第一插塞用于将后段的静电流引致第一衬底上，快速将肖特基二极管击穿，将后段的静电释放掉，有利于提高谐振器的电学性能。
本发明授权谐振器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种谐振器的形成方法，其特征在于，包括： 提供压电叠层结构，所述压电叠层结构包括第一区域和环绕所述第一区域的第二区域，所述压电叠层结构具有第一面和与所述第一面相背的第二面； 在所述压电叠层结构的所述第一面上形成第一介电层； 提供第一衬底，所述第一衬底的顶部具有顶部掺杂区； 将所述第一介电层和第一衬底的顶部相键合； 将所述第一介电层和第一衬底的顶部相键合后，在所述压电叠层结构的第二面上形成第二介电层； 刻蚀所述第二区域的所述第一介电层、压电叠层结构以及第二介电层，形成露出所述顶部掺杂区的第一开口和第二开口； 在所述第一开口和第二开口中填充导电材料，分别形成第一插塞和第二插塞。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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