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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利包括层叠的半导体芯片的半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068484B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110300462.5，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权包括层叠的半导体芯片的半导体封装是由严柱日;裵汉俊;李承烨设计研发完成，并于2021-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括层叠的半导体芯片的半导体封装在说明书摘要公布了：本申请涉及包括层叠的半导体芯片的半导体封装。一种半导体封装包括基板以及设置在基板上的子半导体封装。该子半导体封装包括：子半导体芯片，在其面向基板的有效表面上具有芯片焊盘；子模制层，其围绕所述子半导体芯片的侧表面并且具有面向基板的一个表面；以及重分布导电层，其连接到芯片焊盘并且在子模制层的所述一个表面上延伸。重分布导电层包括：信号重分布导电层，其延伸到子模制层的边缘上并且在其端部具有信号重分布焊盘；以及电源重分布导电层，其具有比信号重分布导电层的长度短的长度并且在其端部具有电源重分布焊盘。

本发明授权包括层叠的半导体芯片的半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，该半导体封装包括： 基板； 子半导体封装，该子半导体封装设置在所述基板上并且包括： 子半导体芯片，在该子半导体芯片的面向所述基板的有效表面上具有芯片焊盘； 子模制层，该子模制层围绕所述子半导体芯片的侧表面并且具有面向所述基板的一个表面；以及 重分布导电层，所述重分布导电层连接到所述芯片焊盘并且在所述子模制层的所述一个表面上延伸，其中，所述重分布导电层包括： 信号重分布导电层，该信号重分布导电层延伸到所述子模制层的边缘上并且在该信号重分布导电层的端部具有信号重分布焊盘；以及 电源重分布导电层，该电源重分布导电层具有比所述信号重分布导电层的长度短的长度，并且在该电源重分布导电层的端部具有电源重分布焊盘；信号子互连器，该信号子互连器具有连接到所述信号重分布焊盘的上表面以及连接到所述基板的下表面； 电源子互连器，该电源子互连器具有连接到所述电源重分布焊盘的上表面以及连接到所述基板的下表面； 电容器，该电容器形成在所述子模制层中，并且通过所述电源重分布导电层电连接到所述子半导体芯片，并且所述电容器包括： 第一电极，该第一电极具有连接到所述电源重分布导电层的下表面； 第二电极，该第二电极具有连接到所述电源重分布导电层的下表面；以及 主体部分，该主体部分在所述第一电极和所述第二电极之间；以及 至少一个主半导体芯片，所述至少一个主半导体芯片形成在所述子半导体封装上并且电连接到所述基板， 其中，与所述电源重分布焊盘相比，所述电容器与所述子半导体芯片相邻。

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