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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068392B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010760731.1，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵炳贵设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于栅极结构侧部且覆盖源漏掺杂层的层间介质层；在栅极结构和层间介质层上形成介电层；刻蚀介电层和层间介质层，形成露出源漏掺杂层的第一开口；在第一开口中形成第一插塞；在介电层上形成图形定义层，图形定义层中具有与栅极结构对应的第一凹槽；刻蚀第一凹槽露出的介电层，在介电层中形成露出栅极结构的第二开口；介电层比第一插塞更易被刻蚀，形成第二开口的过程中，第一插塞不易受损伤，第二开口不易露出源漏掺杂层底部的衬底，形成在第二开口中的第二插塞不易与衬底连接，能提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于所述栅极结构侧部且覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层； 在所述栅极结构和层间介质层上形成介电层； 刻蚀所述介电层和层间介质层，形成露出所述源漏掺杂层的第一开口； 在所述第一开口中形成第一插塞； 形成所述第一开口后，在所述介电层上形成图形定义层，所述图形定义层中具有与所述栅极结构对应的第一凹槽； 形成所述第一插塞后，刻蚀所述第一凹槽露出的所述介电层，在所述介电层中形成露出所述栅极结构的第二开口； 在所述第二开口中形成第二插塞； 其中，刻蚀所述介电层，在所述介电层中形成露出所述源漏掺杂层的第一开口的步骤包括：在所述介电层上形成图形层；图形化所述图形层，在所述图形层中形成第二凹槽；刻蚀所述第二凹槽露出的所述介电层，形成所述第一开口； 形成所述第一开口后，图形化所述图形层，形成所述图形定义层； 在所述第一开口中形成所述第一插塞的步骤包括：在所述第一凹槽、第二凹槽、第一开口以及所述图形定义层上形成第一导电材料层； 去除高于所述图形定义层的所述第一导电材料层； 去除所述第一凹槽和第二凹槽中的所述第一导电材料层，剩余的位于所述第一开口中的所述第一导电材料层作为所述第一插塞。

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