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龙图腾网获悉东泰高科装备科技有限公司申请的专利一种太阳能电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111755539B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910247636.9，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种太阳能电池及制备方法是由黄文洋设计研发完成，并于2019-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能电池及制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开一种太阳能电池及制备方法。其中，所述太阳能电池包括：包括由下到上依次层叠排列的衬底、至少两节子电池和接触层，在相邻两节子电池之间设置一个隧穿结，隧穿结包括层叠排列的n型第一掺杂层、n型第二掺杂层、p型第一掺杂层和p型第二掺杂层，n型第一掺杂层和n型第二掺杂层相邻，p型第一掺杂层和p型第二掺杂层相邻，n型第一掺杂层和p型第一掺杂层相邻；n型第一掺杂层的n型离子的掺杂浓度高于n型第二掺杂层的掺杂浓度，p型第一掺杂层的p型离子的掺杂浓度高于p型第二掺杂层的掺杂浓度。所述制备方法用于制备上述太阳能电池。本发明实施例提供的太阳能电池及制备方法，提高了太阳能电池的光电转换效率。

本发明授权一种太阳能电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，包括由下到上依次层叠排列的衬底、至少两节子电池和接触层，在相邻两节所述子电池之间设置一个隧穿结，其特征在于，所述隧穿结包括： 层叠排列的n型第一掺杂层、n型第二掺杂层、p型第一掺杂层和p型第二掺杂层，所述n型第一掺杂层和所述n型第二掺杂层相邻，所述p型第一掺杂层和所述p型第二掺杂层相邻，所述n型第一掺杂层和所述p型第一掺杂层相邻；其中，所述n型第一掺杂层的n型离子的掺杂浓度高于所述n型第二掺杂层的n型离子的掺杂浓度，所述p型第一掺杂层的p型离子的掺杂浓度高于所述p型第二掺杂层的p型离子的掺杂浓度； 所述n型第二掺杂层的厚度为2～5nm，所述n型第一掺杂层的厚度为5～10nm，所述p型第二掺杂层的厚度为2～5nm，所述p型第一掺杂层的厚度为5～10nm； 所述n型第二掺杂层为n型AlxIn1-xP层，所述n型第一掺杂层为n型AlyIn1-yP层，所述p型第一掺杂层为p型AlzIn1-zP层，所述p型第二掺杂层为p型AlwIn1-wP层，其中，0.25＜x＜0.55,0.25＜y＜0.55,0.25＜z＜0.55,0.25＜w＜0.55； 所述n型第二掺杂层的n型离子的掺杂浓度为5E17～5E18个cm3，所述n型第一掺杂层的n型离子的掺杂浓度为2E19～2E20个cm3，所述p型第二掺杂层的p型离子的掺杂浓度为5E17～5E18个cm3，所述p型第一掺杂层的p型离子的掺杂浓度为2E19～2E20个cm3； 或者层叠排列的n型第三掺杂层、n型第四掺杂层和p型第五掺杂层，所述n型第三掺杂层和所述n型第四掺杂层相邻，所述n型第四掺杂层和所述p型第五掺杂层相邻；其中，所述n型第四掺杂层的n型离子的掺杂浓度高于所述n型第三掺杂层的n型离子的掺杂浓度； 所述n型第三掺杂层的厚度为2～5nm，所述n型第四掺杂层的厚度为5～10nm，所述p型第五掺杂层的厚度为2～5nm；所述n型第三掺杂层为n型AlaIn1-aP层，所述n型第四掺杂层为n型AlbIn1-bP层，所述p型第五掺杂层为p型AlcIn1-cP层，其中，0.25＜a＜0.55,0.25＜b＜0.55,0.25＜c＜0.55； 所述n型第三掺杂层的n型离子的掺杂浓度为5E17～5E18个cm3，所述n型第四掺杂层的n型离子的掺杂浓度为2E19～2E20个cm3，所述p型第五掺杂层的p型离子的掺杂浓度为5E17～5E18个cm3； 或者层叠排列的p型第三掺杂层、p型第四掺杂层和n型第五掺杂层，所述p型第三掺杂层和所述p型第四掺杂层相邻，所述p型第四掺杂层和所述n型第五掺杂层相邻；其中，所述p型第四掺杂层的p型离子的掺杂浓度高于所述p型第三掺杂层的p型离子的掺杂浓度； 所述p型第三掺杂层的厚度为2～5nm，所述p型第四掺杂层的厚度为5～10nm，所述n型第五掺杂层的厚度为2～5nm； 所述p型第三掺杂层为p型AldIn1-dP层，所述p型第四掺杂层为p型AlfIn1-fP层，所述n型第五掺杂层为n型AlgIn1-gP层，其中，0.25＜d＜0.55,0.25＜f＜0.55,0.25＜g＜0.55； 所述p型第三掺杂层的p型离子的掺杂浓度为5E17～5E18个cm3，所述p型第四掺杂层的p型离子的掺杂浓度为2E19～2E20个cm3，所述n型第五掺杂层的n型离子的掺杂浓度为5E17～5E18个cm3。

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