台湾积体电路制造股份有限公司周宥玮获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224139371U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520766802.7，技术领域涉及：H10D30/62；该实用新型半导体装置是由周宥玮;黄彦钧;吴振诚;李资良设计研发完成，并于2025-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：在一些实施例中，提供一种半导体装置。半导体装置包括在基板上方的通道；在通道上方并插入源极漏极区之间的栅极；在栅极的侧壁周围并在基板及源极漏极区上方的蚀刻终止层；及在蚀刻终止层上方的层间介电质。层间介电质包括衬里及衬里上方的主介电质。主介电质包括含碳下部部分及含碳上部部分。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含： 在一基板上方的一通道； 在该通道上方并插入多个源极漏极区之间的一栅极； 在该栅极的多个侧壁周围并在该基板及所述多个源极漏极区上方的一蚀刻终止层；及 在该蚀刻终止层上方的一层间介电质，其中该层间介电质包含一衬里及该衬里上方的一主介电质，其中该主介电质包含一含碳下部部分及一含碳上部部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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