重庆康佳光电技术研究院有限公司崔丽君获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆康佳光电技术研究院有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、微器件的转移方法及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111064463.0，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权半导体结构及其制备方法、微器件的转移方法及显示面板是由崔丽君;萧俊龙;唐彪设计研发完成，并于2021-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、微器件的转移方法及显示面板在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法、微器件的转移方法及显示面板。半导体结构的制备方法包括提供第一暂态基板；于第一暂态基板的表面涂布黏附层；提供衬底，于衬底上形成多个微器件；将微器件嵌入黏附层内；去除衬底，以暴露出微器件的出光面；去除衬底后，微器件的出光面具有残留金属；去除残留金属的同时刻蚀黏附层，以形成弱化结构对黏附层进行刻蚀处理以完成弱化结构。刻蚀处理过程中同时去除残留金属，节约成本，降低弱化结构的制程工艺复杂度，同时提高微器件出光面的出光效率，降低微器件移动至背板的转移难度。
本发明授权半导体结构及其制备方法、微器件的转移方法及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供第一暂态基板； 于所述第一暂态基板的表面涂布黏附层； 提供衬底，于所述衬底上形成多个微器件； 将所述微器件嵌入所述黏附层内； 去除所述衬底，以暴露出所述微器件的出光面；去除所述衬底后，所述微器件的出光面具有残留金属； 去除所述残留金属的同时刻蚀所述黏附层，以形成弱化结构； 所述去除所述残留金属的同时刻蚀所述黏附层，以形成弱化结构包括： 采用反应离子刻蚀工艺去除所述残留金属过程中，刻蚀所述黏附层，以得到所述弱化结构。
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