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龙图腾网获悉上海精测半导体技术有限公司申请的专利获取激光损伤阈值的方法及光声测量装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115791633B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211684217.X，技术领域涉及：G01N21/17；该发明授权获取激光损伤阈值的方法及光声测量装置是由刘世元;汤自荣;王中昱;马骏设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本获取激光损伤阈值的方法及光声测量装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种获取激光损伤阈值的方法，包括构建获取激光损伤阈值的模型，获取激光损伤阈值的模型包括瞬时损伤模型和热积累损伤模型，瞬时损伤模型表示单脉冲激光照射样本材料后的体积热源分布、电子温度变化、晶格温度变化以及应力传输，热积累损伤模型表示多脉冲激光照射样本材料后的体积热源分布、电子温度变化、受环境影响的晶格温度变化，获取待测材料的物理特性参数以及激光光源参数，根据所述待测材料的物理特性参数、所述激光光源参数以及所述获取激光损伤阈值的模型获取激光损伤阈值，无需进行大量破坏性实验所导致的时间及样本材料成本的消耗，在降低成本的同时，提高了激光损伤阈值的检测效率。本发明还提供了一种光声测量装置。

本发明授权获取激光损伤阈值的方法及光声测量装置在权利要求书中公布了：1.一种获取激光损伤阈值的方法，其特征在于，包括： 构建获取激光损伤阈值的模型，所述获取激光损伤阈值的模型包括瞬时损伤模型和热积累损伤模型，所述瞬时损伤模型表示单脉冲激光照射样本材料后的体积热源分布、电子温度变化、晶格温度变化以及应力传输，所述瞬时损伤模型用于获取瞬时激光损伤阈值，所述热积累损伤模型表示多脉冲激光照射样本材料后的体积热源分布、电子温度变化、受环境影响的晶格温度变化，所述热积累损伤模型用于获取热积累激光损伤阈值； 获取待测材料的物理特性参数以及激光光源参数； 根据所述待测材料的物理特性参数、所述激光光源参数以及所述获取激光损伤阈值的模型获取激光损伤阈值，所述激光损伤阈值为所述瞬时激光损伤阈值和所述热积累激光损伤阈值中的最小值； 所述根据所述待测材料的物理特性参数、所述激光光源参数以及所述获取激光损伤阈值的模型获取激光损伤阈值，包括： 将不同单脉冲激光光源参数及所述待测材料的物理特性参数输入所述瞬时损伤模型，其中，每个所述单脉冲激光光源参数对应一个单脉冲激光； 获取使所述待测材料的最高晶格温度等于所述待测材料的熔点的第一单脉冲激光的强度、使所述待测材料的最高电子温度等于所述待测材料的费米温度的第二单脉冲激光的强度以及使所述待测材料的最大等效应力等于所述待测材料的屈服强度的第三单脉冲激光的强度； 将所述第一单脉冲激光的强度、所述第二单脉冲激光的强度和所述第三单脉冲激光的强度中的最小值作为瞬时激光损伤阈值； 将不同多脉冲激光光源参数及所述待测材料的物理特性参数输入所述热积累损伤模型，其中，每个所述多脉冲激光光源参数对应一个多脉冲激光； 获取每个多脉冲激光使所述待测材料的表面温度等于熔点温度的激光照射时间； 将最接近测量周期的激光照射时间所对应的多脉冲激光的强度作为热积累激光损伤阈值。

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