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龙图腾网获悉深圳市冠禹半导体有限公司申请的专利一种半导体材料晶片的抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602531B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211359644.0，技术领域涉及：H10P95/60；该发明授权一种半导体材料晶片的抛光方法是由李伟;高苗苗设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体材料晶片的抛光方法在说明书摘要公布了：本发明涉及抛光技术领域，且公开了一种半导体材料晶片的抛光方法，包括以下步骤：步骤1处理包括调配、检测、过滤和加热等工序，步骤4浸泡抛光，步骤5喷洗抛光，步骤6清洗和干燥，步骤7抛光液的回收。该半导体材料晶片的抛光方法，通过在对半导体材料晶片抛光处理前对抛光液进行处理和检测，包括过滤和加热，使得抛光液保持在较好的状态，在对半导体材料晶片进行抛光打磨，从而提高半导体材料晶片的打磨效果和状态，然后经过两侧的抛光呈现出较好的抛光效果，其次在抛光对半导体材料晶片进行干燥处理以及对抛光液的回收处理，都提高了半导体材料晶片的抛光效果和质量以及方便程度。

本发明授权一种半导体材料晶片的抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体材料晶片的抛光方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1处理抛光液，首先在进行半导体材料晶片加工前，对选取合适的抛光液，对抛光液进行处理，处理包括调配、检测、过滤和加热工序，保证对半导体材料晶片的抛光效果； 步骤2步骤1处理中的调配和检测包括，将浓缩的抛光液进行稀释搅拌均匀，然后进行抽样检测稀释后抛光液的PH值，检测抛光液的外观，外观保持黄色粘稠液体，还包括抛光液粘度检测和抛光液有害物质检测指标以及抛光液其他检测指标； 步骤3步骤1处理中的过滤和加热包括，将检测合格抛光液利用容器进行加热，在加热时利用搅拌棒进行搅拌直至抛光液加热至30-55度，搅拌均匀后对抛光液进行过滤，过滤掉光液中的沉淀物，留作备用；避免金属物掉在抛光液中，造成抛光液的浪费和失效的问题； 步骤4将半导体材料晶片夹持住，将该半导体材料晶片通过调节后送至的抛光液中进行浸泡，在浸泡时根据使用需要，进行缓慢旋转该半导体材料晶片的位置，使得该半导体材料晶片在浸泡时更加的均匀浸泡20-200秒之间，对半导体材料晶片预先的抛光处理，浸泡后先取出放置； 步骤5将半导体材料晶片夹持住，然后利用高压水枪对半导体材料晶片进行高压冲洗抛光液，达到对半导体材料晶片进行再次抛光的效果，在抛光时保持震动状态，在顶部抛光完成后，将半导体材料晶片翻转进行喷洗抛光另外一面，对半导体材料晶片的多面进行喷洗抛光，提高半导体材料晶片抛光的光洁度； 步骤6清洗，在抛光后将半导体材料晶片放入超声波容器的内部清洗8-15分钟，最后在氮气气氛中干燥； 步骤7抛光液的回收，将抛光时的抛光液利用容器进行收集起来，进行再生加工处理，达到有效回收，节约成本、降低污染。

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