铠侠股份有限公司永尾理获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464236B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210140421.9，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法是由永尾理设计研发完成，并于2017-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法在说明书摘要公布了：本发明的实施方式提供一种能够提高处理能力的半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法。实施方式的半导体存储装置包含多个第1存储单元MT、字线WL及控制电路17。控制电路17在第1模式的第1编程循环中，在对字线施加了第1电压VSV而执行第1编程后，一边使施加到字线WL的第2电压VCG_SV升压，一边重复进行第1验证，直到第1存储单元的断开单元数成为阈值以下为止，基于第1电压VSV与重复进行第1验证的次数来决定第3电压VPGM_SV，在第2模式的第1次的第2编程循环中，对字线WL施加第3电压VPGM_SV而执行第2编程。
本发明授权半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置的控制方法，其特征在于控制半导体存储装置，所述半导体存储装置具备： 第1存储单元组，包含多个第1存储单元； 字线，共通地连接在所述多个第1存储单元；及 控制电路，控制写入动作，所述写入动作具备：第1模式，执行包含第1编程及第1验证的第1编程循环至少1次；及第2模式，重复进行包含第2编程及第2验证的第2编程循环；且所述半导体存储装置的控制方法包括： 在依次执行所述第1模式及第2模式的情况下， 在所述第1编程循环中， 对所述字线施加第1电压而执行所述第1编程， 一边使施加至所述字线的第2电压升压，一边重复进行所述第1验证，直到所述第1存储单元的断开单元数成为阈值以下为止，并 基于所述第1电压与重复进行所述第1验证的次数来决定低于所述第1电压的第3电压； 在第1次的所述第2编程循环中， 对所述字线施加所述第3电压而执行所述第2编程， 对所述字线施加低于所述第2电压的第4电压而执行所述第2验证。
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