铠侠股份有限公司沓挂静香获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446978B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110676029.1，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权半导体存储装置是由沓挂静香设计研发完成，并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够增大电容器电容的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备包括多个存储器单元的存储器单元阵列、以及控制存储器单元的动作且包含第一电容器的控制电路，第一电容器包括：半导体基板，具有第一面和与第一面对置的第二面，且包括p型的第一半导体区域、设于第一面与第一半导体区域之间的n型的第二半导体区域以及设于第一面与第二半导体区域之间并与第一半导体区域电连接的p型的第三半导体区域；第一电极，与第二半导体区域电连接；以及第一绝缘膜，设于第三半导体区域与第一电极之间。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其中，具备： 存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及 控制电路，控制所述存储器单元的动作，且包含第一电容器， 所述第一电容器包括： 半导体基板，具有第一面和与所述第一面对置的第二面，包括： p型的第一半导体区域； n型的第二半导体区域，设于所述第一面与所述第一半导体区域之间；以及 p型的第三半导体区域，设于所述第一面与所述第二半导体区域之间，并与所述第一半导体区域电连接； 第一电极，与所述第二半导体区域电连接；以及 第一绝缘膜，设于所述第三半导体区域与所述第一电极之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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