索尼半导体解决方案公司松村勇佑获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利摄像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113906566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080041495.6，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权摄像装置是由松村勇佑设计研发完成，并于2020-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本摄像装置在说明书摘要公布了：根据本发明的实施例的摄像装置包括：光电转换部，其设置于半导体基板中；电荷保持部，其设置成在所述半导体基板的厚度方向上层叠于所述光电转换部上方，并且用于保持由所述光电转换部进行光电转换而得到的电荷；水平遮光膜，其设置于所述光电转换部和所述电荷保持部之间，并且在所述半导体基板的平面内方向上延伸；和多个垂直栅极电极，它们穿过设置于所述水平遮光膜中的同一开口，并且在所述半导体基板的厚度方向上延伸到所述光电转换部。
本发明授权摄像装置在权利要求书中公布了：1.一种摄像装置，包括： 光电转换部，其设置于半导体基板中； 电荷保持部，其设置成在所述半导体基板的厚度方向上层叠于所述光电转换部上方，并且用于保持由所述光电转换部进行光电转换而得到的电荷，对应于一个所述光电转换部而设置有多个所述电荷保持部； 水平遮光膜，其设置于所述光电转换部和所述多个电荷保持部之间，并在所述半导体基板的平面内方向上延伸； 对应于一个所述光电转换部而设置的多个传输晶体管，所述多个传输晶体管各者将所述电荷从所述光电转换部提取到所述多个电荷保持部中的相应一者；和 多个垂直栅极电极，它们穿过设置于所述水平遮光膜中的同一开口，并且在所述半导体基板的厚度方向上延伸到所述光电转换部， 其中，所述多个垂直栅极电极包括所述多个传输晶体管各自的栅极电极。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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