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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310096B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010756111.0，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体装置是由金智慧;李在薰;金志荣;朴凤泰;沈载株设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：衬底，其具有导电区和绝缘区；栅电极，其包括子栅电极和栅极连接件，所述子栅电极彼此间隔开并且在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠并且在垂直于第一方向的第二方向上延伸，所述栅极连接件连接设置在同一水平上的子栅电极；沟道结构，其穿透栅电极，并且在衬底的导电区中延伸；以及第一伪沟道结构，其穿透栅电极并且在衬底的绝缘区中延伸，并且被设置为在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上邻近于栅极连接件的至少一侧。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 衬底，其具有第一区和第二区； 栅电极，其彼此间隔开并且在所述第一区上在垂直于所述衬底的上表面的第一方向上堆叠，在所述第二区上在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸不同的长度，并且包括从所述衬底按次序堆叠的至少一个地选择栅电极、存储器单元栅电极和至少一个串选择栅电极； 第一分离区，其穿透所述栅电极并且在所述第一区和所述第二区中在所述第二方向上延伸，并且在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上彼此间隔开； 第二中间分离区，其穿透所有的所述栅电极，并且在所述第一分离区之间在所述第二方向上延伸，并且在所述第二区上在所述第二方向上彼此间隔开； 第二辅助分离区，其穿透所有的所述栅电极并且在所述第二方向上在所述第一分离区与所述第二中间分离区之间延伸，并且在所述第二区中在所述第二方向上彼此间隔开，且将所述第二辅助分离区彼此间隔开的间隔区位于所述第一分离区与所述第二中间分离区之间； 下分离区，其在所述第二中间分离区之间穿透所述至少一个地选择栅电极，并且与所述第二中间分离区一起将所述至少一个地选择栅电极分离； 衬底绝缘层，其在所述第二区中设置在所述第一分离区与所述第二辅助分离区之间以及所述第二辅助分离区与所述第二中间分离区之间的衬底中； 沟道结构，其穿透所述栅电极并且在所述第一区中垂直于所述衬底延伸； 第一伪沟道结构，其穿透所述栅电极和所述衬底绝缘层，并且在所述第三方向上在所述下分离区的外侧上垂直于所述衬底延伸；以及 第三伪沟道结构，其穿透所述栅电极和所述衬底绝缘层，并且在所述第二辅助分离区之间的间隔区的至少一部分中垂直于所述衬底延伸。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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