三星电子株式会社金贤真获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括存储器平面的非易失性存储器装置和存储器系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111243641B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910822535.X,技术领域涉及:G11C16/04;该发明授权包括存储器平面的非易失性存储器装置和存储器系统是由金贤真;刘忠昊;李镕圭;郑宰镛设计研发完成,并于2019-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括存储器平面的非易失性存储器装置和存储器系统在说明书摘要公布了:提供一种非易失性存储器装置、存储器系统和垂直NAND快闪存储器装置,所述非易失性存储器装置可以包括多个存储器平面和多个平面专用焊盘组。多个存储器平面可以包括具有非易失性存储器单元的多个存储器单元阵列和多个页缓冲器电路。多个页缓冲器电路中的每一个可以通过位线连接到多个存储器单元阵列中的每一个中包括的各非易失性存储器单元中的非易失性存储器单元。多个平面专用焊盘组可以通过多个数据路径分别连接到多个页缓冲器电路,使得多个平面专用焊盘组中的每一个专用地连接到多个页缓冲器电路中的每一个。可以通过减少数据传输延迟并支持并行数据传输来增加数据传输的带宽,并且可以通过去除数据多路复用和或信号路由来降低功耗。
本发明授权包括存储器平面的非易失性存储器装置和存储器系统在权利要求书中公布了:1.一种非易失性存储器装置,包括: 多个存储器平面,其包括多个页缓冲器电路和包括非易失性存储器单元的多个存储器单元阵列,其中所述多个页缓冲器电路中的每一个通过位线连接至所述多个存储器单元阵列中的相应的存储器单元阵列中包括的所述非易失性存储器单元中的一个;以及 多个平面专用焊盘组,其通过多个数据路径连接到所述多个页缓冲器电路,使得所述多个平面专用焊盘组中的每一个连接到所述多个页缓冲器电路中的相应的页缓冲器电路, 其中,所述多个数据路径中的每一个包括相应的数据输入输出电路,所述多个平面专用焊盘组的数量与所述多个数据路径的数量相同,并且所述多个平面专用焊盘组分别通过所述多个数据路径一一连接到所述多个页缓冲器电路,使得所述多个平面专用焊盘组中的每个专用地连接到所述多个页缓冲器电路中的每个,并且 所述非易失性存储器装置不接收平面地址,所述多个平面专用焊盘组各自独立地接收命令和地址,以独立地确定与所述多个存储器平面中的每一个对应的地址。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社,其通讯地址为:韩国京畿道;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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