三星电子株式会社徐喜柱获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装件模制设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110875214B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910406960.0，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权半导体封装件模制设备是由徐喜柱;崔宰源;洪性福;黄永进设计研发完成，并于2019-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件模制设备在说明书摘要公布了：提供了一种半导体封装件模制设备。半导体封装件模制设备包括：腔室下部，其包括构造为容纳模制目标的下模具；腔室上部，其构造为与腔室下部接合以将腔室的内部与腔室的外部隔离，腔室上部包括构造为与下模具形成腔体的上模具；第一排气孔，其位于腔室上部和腔室下部之间，第一排气孔构造为在腔室上部和腔室下部彼此接合之后从腔体的内部排出气体；罐，其形成在腔室下部中的下模具中；柱塞，其构造为推动罐中的模制材料；第二排气孔，其形成在腔室下部中的罐的侧表面中；以及腔体真空泵，其构造为通过第一排气孔和第二排气孔排出气体。
本发明授权半导体封装件模制设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件模制设备，包括： 腔室下部，其包括构造为容纳模制目标的下模具； 腔室上部，其构造为与所述腔室下部接合以将腔室的内部与所述腔室的外部隔离，所述腔室上部包括构造为与所述下模具形成以腔体的上模具； 第一排气孔，其位于所述腔室上部和所述腔室下部之间，所述第一排气孔构造为在所述腔室上部和所述腔室下部彼此接合之后从所述腔体的内部排出气体； 罐，其形成在所述腔室下部中的所述下模具中； 柱塞，其构造为推动所述罐中的模制材料； 第二排气孔，其形成在所述腔室下部中的所述罐的侧表面中； 腔体真空泵，其构造为通过所述第一排气孔和所述第二排气孔排出气体；以及 密封构件，其位于所述腔室上部和所述腔室下部之间，并且构造为阻挡所述腔室上部与所述腔室下部之间的除了所述第一排气孔之外的空间， 其中，所述第一排气孔形成在所述密封构件中，并且 其中，所述密封构件为弹性构件，并且所述密封构件体积根据所施加的力而变化。
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