台湾积体电路制造股份有限公司吕育玮获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224124495U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520288360.X，技术领域涉及：H10D30/62；该实用新型半导体装置是由吕育玮;时定康;陈怡伦;佐野谦一设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包含基底、鳍基座、纳米结构化通道结构以及栅极结构。鳍基座设置于基底上；纳米结构化通道结构设置于鳍基座上；栅极结构围绕纳米结构化通道结构。纳米结构化通道结构包含无锗区、锗掺杂区及盖层；锗掺杂区围绕无锗区；盖层围绕锗掺杂区。锗掺杂区包含沿锗掺杂区的厚度变化的锗浓度。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括: 一基底； 一鳍基座，设置于该基底上； 一纳米结构化通道结构，设置于该鳍基座上，该纳米结构化通道结构包括: 一无锗区； 一锗掺杂区，围绕该无锗区，其中该锗掺杂区包括沿该锗掺杂区的厚度变化的锗浓度；及 一盖层，围绕该锗掺杂区；以及 一栅极结构，围绕该纳米结构化通道结构。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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