宜矽源半导体南京有限公司刘李炎获国家专利权
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龙图腾网获悉宜矽源半导体南京有限公司申请的专利一种基于二极管的高边分口充电方案获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224123927U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520549732.X，技术领域涉及：H02J7/90；该实用新型一种基于二极管的高边分口充电方案是由刘李炎;陈铭设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于二极管的高边分口充电方案在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种基于二极管的高边分口充电方案，属于电池管理系统领域，本实用新型包括高边分口充电模块，防反模块。本实用新型中，利用高边分口充电模块控制充电状态，防反模块切断反向电压，实现了高边分口充电场景下的兼顾安全与低成本，同时有效控制成本。
本实用新型一种基于二极管的高边分口充电方案在权利要求书中公布了：1.一种基于二极管的高边分口充电方案，其特征在于，包含高边分口充电模块，防反模块，利用高边分口充电模块控制充电状态，防反模块切断反向电压，实现了高边分口充电场景下的兼顾安全与低成本,所述高边分口充电模块包括：电池包总正B+、增强型nmos管Q1、电阻R2、电阻R1、电阻R3、稳压管Z1、高边充电控制信号CHG，电池包总正B+连接到Q1栅极以及R1和Z1正极，增强型nmos管Q1源极连接到电池包总正B+，栅极连接到R2，漏极连接到D1负极，R2连接到Q1栅极以及R1和R3和Z1负极，R1连接到R2和R3和Z1负极以及电池包总正B+和Z1正极，R3连接到高边充电控制信号CHG以及R2和R1和Z1负极，稳压管Z1正极连接到R1和电池包总正B+，负极连接到R1和R2和R3，高边充电控制信号CHG连接到R3，所述防反模块：二极管D1、高边分口充电端C+，二极管D1正极连接到高边分口充电端C+，负极连接到增强型nmos管Q1漏极，高边分口充电端C+连接到二极管D1正极。
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