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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利一种氧化膜的退火方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120767192B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510926436.1，技术领域涉及：H10P95/90；该发明授权一种氧化膜的退火方法是由周燕;秦芳设计研发完成，并于2025-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化膜的退火方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体退火技术领域，尤其涉及一种氧化膜的退火方法，包括以下阶段：应力释放阶段：在惰性气体气氛下，以第一升温速率升温至第一温度，并保温第一时长；结构重组阶段：在氧气和惰性气体的混合气体气氛下，以第二升温速率从第一温度升温至第二温度，并保温第二时长；预致密化阶段：在氧气和惰性气体的混合气体气氛下，以第三升温速率从第二温度升温至第三温度，并保温第三时长；稳态致密化阶段：在惰性气体气氛下，以第四升温速率从第三温度升温至第四温度，并保温第四时长。本发明提供的氧化膜的退火方法，采用分阶段阶梯升温，实现分阶段释放不同层级的残余应力；可以缓解瞬时热应力集中，减小缺陷，提升半导体器件的可靠性。

本发明授权一种氧化膜的退火方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化膜的退火方法，其特征在于，应用于半导体器件，所述退火方法包括： 应力释放阶段：在惰性气体气氛下，以第一升温速率K1升温至第一温度T1，并保温第一时长t1； 结构重组阶段：在氧气和惰性气体的混合气体气氛下，以第二升温速率K2从所述第一温度T1升温至第二温度T2，并保温第二时长t2； 预致密化阶段：在氧气和惰性气体的混合气体气氛下，以第三升温速率K3从第二温度T2升温至第三温度T3，并保温第三时长t3； 稳态致密化阶段：在惰性气体气氛下，以第四升温速率K4从所述第三温度T3升温至第四温度T4，并保温第四时长t4； 所述氧化膜具有目标收缩率S，所述第三温度T3是基于所述目标收缩率S确定； 所述目标收缩率S包括第一收缩率S1和第二收缩率S2，所述第三温度T3包括第三下限温度T31和第三上限温度T32，所述第三下限温度T31与所述第一收缩率S1相对应，所述第三上限温度T32与所述第二收缩率S2相对应； 其中，所述第一收缩率S1小于所述第二收缩率S2，所述第三下限温度T31小于所述第三上限温度T32； 所述第一收缩率S1的取值范围为4%～6%，所述第二收缩率S2的取值范围为7%～9%。

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