京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司李广如获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司申请的专利薄膜发光器件及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310960595.4，技术领域涉及：H10K50/18；该发明授权薄膜发光器件及其制备方法、显示面板是由李广如;赵晓飞;高阳设计研发完成，并于2023-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜发光器件及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：本公开提供一种薄膜发光器件及其制备方法、显示面板，属于显示技术领域。该薄膜发光器件包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层和阴极；其中，所述空穴传输层包括空穴传输材料和电子陷阱材料；所述电子陷阱材料的LUMO能级小于所述空穴传输材料的LUMO能级。该薄膜发光器件能够提高空穴传输层的稳定性。
本发明授权薄膜发光器件及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种薄膜发光器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层和阴极；其中，所述空穴传输层包括空穴传输材料和电子陷阱材料；所述电子陷阱材料的LUMO能级小于所述空穴传输材料的LUMO能级；所述电子陷阱材料的LUMO能级不小于所述发光层的LUMO能级；所述电子陷阱材料的电子迁移率，不大于1×10-3cm2V-1s-1；所述电子陷阱材料捕获电子的速率快于所述空穴传输材料的空穴捕获电子的速率；所述电子陷阱材料捕获电子的速率快于所述空穴传输材料上的激子与空穴进行淬灭的速率；所述电子陷阱材料捕获2nm以内的电子的速率快于109秒；捕获有电子的电子陷阱材料导出电子的速率快于103秒； 所述电子陷阱材料的HOMO能级，不高于所述空穴传输材料的HOMO能级。
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