福建省晋华集成电路有限公司周阳获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利一种半导体存储器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118973257B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411059733.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体存储器的制备方法是由周阳;陈炫彤;黄毅圣设计研发完成，并于2024-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体存储器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体存储器的制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，先在衬底上依次形成支撑堆叠层、第一掩膜层及位于第一区内的通孔，然后去除所述第一区上的所述第一掩膜层，以露出所述第一区中的所述支撑堆叠层，之后再依次形成下电极及位于第一区上的第二掩膜层，并使所述第一区上的支撑堆叠层在所述第二掩膜层的保护下，进一步去除第二区上的第一掩膜层，即通过第一区和第二区上的第一掩膜层分步去除的方式，避免现有技术中采用同步去除第一区和第二区上的第一掩膜层而导致第一区上支撑堆叠层的顶部发生损耗，避免支撑堆叠层的倾倒，提高电容器的稳定性、存储器件的效能及可靠度。
本发明授权一种半导体存储器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区； 形成支撑堆叠层位于所述第一区和所述第二区上； 形成第一掩膜层位于所述第一区和所述第二区的所述支撑堆叠层上； 形成通孔位于所述第一区内，且所述通孔贯穿所述支撑堆叠层和第一掩膜层； 去除所述第一区上的所述第一掩膜层和所述第二区上的部分高度的所述第一掩膜层，以露出所述第一区中的所述支撑堆叠层； 形成下电极位于所述通孔的内表面上； 形成第二掩膜层位于所述第一区的所述支撑堆叠层上并露出所述第二区的所述支撑堆叠层； 以所述第二掩膜层为阻挡，去除所述第二区上的所述第一掩膜层。
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