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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利GaN HEMT器件续流过程中的自激震荡建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118886390B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410727757.4，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权GaN HEMT器件续流过程中的自激震荡建模方法是由杭丽君;闫东;郑翔;何远彬;唐赛设计研发完成，并于2024-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN HEMT器件续流过程中的自激震荡建模方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaNHEMT器件续流过程中的自激震荡建模方法，应用于GaNHEMT器件作为上管和下管的双脉冲测试电路，包括以下步骤：进行建模假设；基于建模假设，对双脉冲测试电路进行等效化简，得到GaNHEMT器件续流过程等效电路；在续流过程等效电路的基础上继续建立GaNHEMT器件自激振荡电路模型；由于振荡是回路寄生电感与器件寄生电容谐振引起，根据Barkhausen准则推导出该系统的振荡发生条件，当Re{Hω1}1或者Re{Hω2}1时发生自激振荡，通过推导化简得到边界条件即自激振荡的必要条件为：LpCds+CossLgCgs+gmCgdRgLg，同样，不发生自激振荡的条件为：LpCds+Coss￡LgCgs+gmCgdRgLg。

本发明授权GaN HEMT器件续流过程中的自激震荡建模方法在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT器件续流过程中的自激震荡建模方法，应用于GaNHEMT器件作为上管和下管的双脉冲测试电路，其特征在于，包括以下步骤： 进行建模假设：由于持续振荡发生在下管关断后，下管关断后的栅源极电压Vgs近似钳位到0，将下管的栅极和源极等效为输出电容Coss；由于母线电容与负载电感的高频阻抗远小于器件寄生参数，因此忽略对高频振荡的影响； 基于建模假设，对双脉冲测试电路进行等效化简，得到GaNHEMT器件续流过程等效电路； 在续流过程等效电路的基础上继续建立GaNHEMT器件自激振荡电路模型，其中母线电容CDC短路，电感L开路，驱动电阻为Rg，环路杂散电阻为Rloop，驱动杂散电感为Lg，回路寄生电感为Lp=Ls+Ld，即源极寄生电感与漏极寄生电感之和；由于此时下管Q已经关断，用其输出电容Coss替代，上管Q_H等效为电压控制电流源及其寄生电容，跨导gm表示的是栅源极电压Vgs对漏源极电流Ids的影响，其栅源极寄生电容为Cgs，栅漏极寄生电容为Cgd，漏源极寄生电容为Cds； 由于振荡是回路寄生电感与器件寄生电容谐振引起，根据Barkhausen准则推导出系统的振荡发生条件，当或者时发生自激振荡，通过推导化简得到边界条件即自激振荡的必要条件为：，同样，不发生自激振荡的条件为：。

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