环球晶圆股份有限公司刘庆旻获国家专利权
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龙图腾网获悉环球晶圆股份有限公司申请的专利剥除及清洁半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118843923B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380025920.6，技术领域涉及：H10P90/00；该发明授权剥除及清洁半导体结构的方法是由刘庆旻;梁海河;杨钧婷设计研发完成，并于2023-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本剥除及清洁半导体结构的方法在说明书摘要公布了：公开用于移除氧化物膜及用于清洁绝缘体上硅结构的方法。所述方法可涉及将所述绝缘体上硅结构浸入剥除浴中以从所述绝缘体上硅结构的表面剥除氧化物膜。将所述经剥除的绝缘体上硅结构浸入包括臭氧的臭氧浴中。可将所述经臭氧处理的绝缘体上硅结构浸入包括氢氧化铵及过氧化氢的SC‑1浴中以清洁所述结构。
本发明授权剥除及清洁半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于剥除及清洁绝缘体上硅结构的表面的方法，所述绝缘体上硅结构包括处置结构、硅顶层及安置于所述处置结构与所述硅顶层之间的介电层，所述绝缘体上硅结构在所述绝缘体上硅结构的顶表面上具有氧化物膜，所述方法包括： 将所述绝缘体上硅结构浸入剥除浴中以从所述绝缘体上硅结构的所述表面剥除所述氧化物膜且制备经剥除的绝缘体上硅结构，所述剥除浴包括氢氟酸及表面活性剂； 将所述经剥除的绝缘体上硅结构浸入包括臭氧的臭氧浴中以制备经臭氧处理的绝缘体上硅结构；及 将所述经臭氧处理的绝缘体上硅结构浸入包括氢氧化铵及过氧化氢的SC-1浴中以制备经SC-1处理的绝缘体上硅结构。
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