内蒙古鑫华半导体科技有限公司高国翔获国家专利权
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龙图腾网获悉内蒙古鑫华半导体科技有限公司申请的专利电子级多晶硅还原炉生长设备及沉积颗粒检测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118289766B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410384188.8,技术领域涉及:C01B33/035;该发明授权电子级多晶硅还原炉生长设备及沉积颗粒检测方法是由高国翔;吴鹏;赵春梅;王硕;朱红雷;赫凤玲设计研发完成,并于2024-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子级多晶硅还原炉生长设备及沉积颗粒检测方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种电子级多晶硅还原炉生长设备及沉积颗粒检测方法,电子级多晶硅还原炉生长设备包括:炉体和粒度检测装置,粒度检测装置用于检测炉室内的待测颗粒的粒度,粒度检测装置包括第一光源、第一图像获取单元、第二光源、第二图像获取单元和图像处理单元,第一光源朝向炉室内的待测颗粒发射激光,第一图像获取单元用于获取待测颗粒的动态光散射信号,第二光源照亮炉室内的待测颗粒,第二图像获取单元用于获取待测颗粒的图像,图像处理单元用于接收第一图像获取单元以及第二图像获取单元获取的图像信息并获取待测颗粒的粒度。根据本发明实施例的电子级多晶硅还原炉生长设备,可以避免因异常沉积颗粒导致的产品降级和生产损失。
本发明授权电子级多晶硅还原炉生长设备及沉积颗粒检测方法在权利要求书中公布了:1.一种电子级多晶硅还原炉生长设备,其特征在于,包括: 炉体,所述炉体内具有炉室,所述炉体的外周壁上设有观察窗口; 粒度检测装置,所述粒度检测装置用于检测所述炉室内的待测颗粒的粒度,其中,所述粒度检测装置包括第一光源、第一图像获取单元、第二光源、第二图像获取单元和图像处理单元,所述第一光源通过所述观察窗口朝向所述炉室内的待测颗粒发射激光,所述第一图像获取单元用于获取所述待测颗粒的动态光散射信号,所述第二光源通过所述观察窗口照亮所述炉室内的待测颗粒,所述第二图像获取单元用于获取所述待测颗粒的图像,所述图像处理单元用于接收所述第一图像获取单元以及所述第二图像获取单元获取的图像信息并获取所述待测颗粒的粒度。
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