武汉华星光电半导体显示技术有限公司李们在获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117545293B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311715897.1，技术领域涉及：H10K50/13；该发明授权显示面板及显示装置是由李们在;顾宇;赵决文;吴凯龙;李朝;王俊媛设计研发完成，并于2023-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板及显示装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种显示面板及显示装置；在发光器件层中，n型电荷生成层包括电子传输材料和n型掺杂材料；p型电荷生成层包括空穴传输材料和p型掺杂材料；其中，发光器件层在预设电流密度下具有第一工作电压，发光器件层在预设电流密度下、以及第一预设温度下工作预设时间后具有第二工作电压，第一工作电压和第二工作电压的差值的绝对值为a1，a1小于或等于1V，第一预设温度大于或等于50℃；本发明可以提高发光器件层的高温稳定性，提高显示面板的显示稳定性和显示效果。
本发明授权显示面板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括发光器件层，所述发光器件层包括： 阳极； 第一发光层，设置于所述阳极的一侧； n型电荷生成层，设置于所述第一发光层远离所述阳极的一侧，所述n型电荷生成层包括：电子传输材料和n型掺杂材料； p型电荷生成层，设置于所述n型电荷生成层远离所述第一发光层的一侧，所述p型电荷生成层包括：空穴传输材料和p型掺杂材料； 第二发光层，设置于所述p型电荷生成层远离所述n型电荷生成层的一侧； 阴极，设置于所述第二发光层远离所述p型电荷生成层的一侧； 其中，所述发光器件层在预设电流密度下具有第一工作电压，所述发光器件层在所述预设电流密度下、以及第一预设温度下工作预设时间后具有第二工作电压，所述第一工作电压和所述第二工作电压的差值的绝对值为a1，a1小于或等于1V，所述第一预设温度大于或等于50℃，所述第二工作电压与所述第一工作电压的差值的绝对值随所述p型掺杂材料在所述p型电荷生成层中的掺杂浓度的减小而减小。
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