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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利一种硬质耐磨TaN/MoS2复合涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117512539B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311413955.5，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种硬质耐磨TaN/MoS2复合涂层及其制备方法是由汪慧英;李建亮;卫宁馨;孔见;熊党生;谈华平;朱和国;黄洁雯;吴秋洁设计研发完成，并于2023-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硬质耐磨TaN/MoS2复合涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于涂层领域，具体涉及一种硬质耐磨TaNMoS2复合涂层及其制备方法。本发明以Ta靶和MoS2靶作为靶材，N2为反应气体，氩气为溅射气体，通过直流磁控溅射靶材，在基底上获得TaNMoS2复合涂层；采用40sccm的总流量，固定氮气流量4sccm，氩气流量36sccm。通过改变MoS2靶材功率改变Mo原子的固溶度和MoS2含量，通过固溶强化效果增强和晶界强化实现涂层硬度和韧性的提高，同时良好的机械性能和MoS2强共价键与弱范德华键结合的特殊结构使涂层摩擦学性能得到提升。

本发明授权一种硬质耐磨TaN/MoS2复合涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硬质耐磨TaNMoS2复合涂层的制备方法，其特征在于，以Ta靶和MoS2靶作为靶材，N2为反应气体，氩气为溅射气体，通过直流磁控溅射靶材，在基底上获得TaNMoS2复合涂层；包括如下步骤： 步骤1：基材预处理：选择单晶100硅片，裁剪成所需尺寸； 步骤2：溅射沉积Cr过渡层； 步骤3：在Cr过渡层表面溅射TaNMoS2硬质耐磨涂层：采用直流磁控溅射，设置背底真空度低于4.0×10-3Pa，靶基距为60±5mm，工作气压为0.4±0.1Pa，氩气流量为36±3sccm，N2流量4±1sccm，Ta靶溅射功率为150±10W，MoS2靶溅射功率60W，溅射温度350±20℃，溅射时间45±5min； 步骤2中溅射沉积Cr过渡层的具体为： 以99.99％高纯Cr圆形块体材料作为磁控溅射靶材，采用射频磁控溅射方法，硅衬底上进行预溅射，制备一层完全覆盖的Cr薄膜；具体工艺参数为：背底真空度为4×10-3Pa以下，工作气压0.4±0.1Pa，99.9％高纯Ar气作为溅射气体，溅射功率为200±10W，350±10℃衬底加热，无需施加偏压，控制溅射时间为10±2min。

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