中国科学院长春光学精密机械与物理研究所黎大兵获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种MOCVD反应腔、生长AlGaN薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117364060B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311316209.4，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种MOCVD反应腔、生长AlGaN薄膜的方法是由黎大兵;聂子凯;贲建伟;孙晓娟;蒋科;吕顺鹏;张山丽设计研发完成，并于2023-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOCVD反应腔、生长AlGaN薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MOCVD反应腔、生长AlGaN薄膜的方法。本发明的MOCVD反应腔，包括气体喷淋头、托盘、电压源；电压源的分别与气体喷淋头、托盘电连接，通过电压源控制气体喷淋头、托盘之间的电压；在生长AlGaN薄膜过程中，利用电压源在气体喷淋头、托盘之间产生强电场，这个电场穿过晶圆从而改变AlGaN薄膜表面电极性，使Al原子更不容易被N原子吸附，进而提升Al原子迁移率。本发明可以在不大幅改变生长条件情况下快速改变AlGaN的生长模式，使AlGaN薄膜的表面更平整，位错密度更低，晶体质量更高；本发明的MOCVD反应腔，结构简单，操作方便，具有低成本高性能的优点，具备广阔的应用前景。
本发明授权一种MOCVD反应腔、生长AlGaN薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种使用MOCVD反应腔生长AlGaN薄膜的方法，其特征在于，所述MOCVD反应腔，包括： 腔体； 气体喷淋头，其位于所述腔体内； 托盘，其位于所述腔体内且与所述气体喷淋头相对设置，所述托盘可绕其中心轴线转动； 电压源，其分别于所述气体喷淋头、托盘电连接，所述电压源用以控制所述气体喷淋头、托盘之间的电压； 所述生长AlGaN薄膜的方法，包括以下步骤： 将晶圆衬底置于托盘上； 利用电压源控制所述气体喷淋头、托盘之间的电压； 驱动所述托盘转动； 利用气体喷淋头向腔体内通入Al源、Ga源和N源，控制生长参数在所述晶圆衬底生长AlGaN薄膜； 利用电压源控制所述气体喷淋头、托盘之间的电压的步骤中，电压范围为100V~40kV； TMAl作为Al源，TMGa作为Ga源，NH3作为N源。
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