苏州大学张冬利获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种回滞性半导体器件、制备方法、存储器及类脑芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121568409B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610094154.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种回滞性半导体器件、制备方法、存储器及类脑芯片是由张冬利;胡跃骞;王明湘;吕楠楠;王槐生设计研发完成，并于2026-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种回滞性半导体器件、制备方法、存储器及类脑芯片在说明书摘要公布了：本发明公开一种回滞性半导体器件、制备方法、存储器及类脑芯片，其包含衬底，以及衬底上的间隔栅、栅介质层、半导体有源层、源漏电极与栅电极。半导体有源层沿第一方向延伸，其两端接源漏电极，且包括被间隔栅垂直控制的沟道区和栅间隔区对应的半导体区；栅介质层覆盖半导体有源层全域，多个间隔栅连接栅电极，经栅介质层与半导体有源层隔离，栅压垂直调控下半导体形成导电沟道，间隔栅局域化电场延伸至栅极间隔区对应的半导体区并诱导载流子积累耗尽迟滞。本发明无需电荷陷阱或离子迁移即实现可控回滞，兼具回滞可控性与稳定性高、工艺兼容性强、低功耗高可靠、器件一致性优异等优势，适配多场景应用。
本发明授权一种回滞性半导体器件、制备方法、存储器及类脑芯片在权利要求书中公布了：1.一种回滞性半导体器件，其特征在于：包括：衬底以及设置于所述衬底上的多个间隔栅、栅介质层、半导体有源层、源电极、漏电极以及栅电极， 其中，所述半导体有源层沿第一方向连续延伸，其第一方向的两端分别电连接所述源电极与漏电极，且所述半导体有源层包括沟道区与半导体区，所述半导体区位于相邻沟道区之间； 所述栅介质层覆盖于所述半导体有源层的表面，且所述栅介质层的覆盖范围同时包含所述沟道区和所述半导体区； 多个所述间隔栅均连接于所述栅电极，且通过所述栅介质层与所述半导体有源层隔离，多个所述间隔栅同向设置，且沿第一方向间隔排列，多个所述间隔栅在所述半导体有源层上的正投影与所述沟道区重合，以在栅压调控下使所述沟道区形成导电沟道，间隔栅产生的局域化电场可延伸至所述半导体区，且诱导所述半导体区产生载流子积累耗尽迟滞。
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