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龙图腾网获悉深圳市芯电元科技有限公司申请的专利半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121532046B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610050171.8，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权半导体器件的制备方法是由杨彦峰;黄凤明设计研发完成，并于2026-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：获取电路基板与半导体叠层结构的目标键合区域的区域特征信息；基于所述区域特征信息，确定第一固化特性层的目标图案；在所述目标键合区域上形成所述目标图案作为限流框架；在所述限流框架内，形成第二固化特性层作为填充层；将所述半导体叠层结构对准并放置于所述填充层上，施加键合压力；在所述键合压力下进行固化。通过在施加压力时，高粘度的第一层能精确引导和限制低粘度第二层的横向流动，最终通过协同固化形成均匀且低应力的可靠结合界面，解决了传统方法中填充不均、应力集中和可靠性差的问题。

本发明授权半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取电路基板与半导体叠层结构的目标键合区域的区域特征信息；基于所述区域特征信息，确定第一固化特性层的目标图案；其中，所述第一固化特性层的粘度高于第二固化特性层；所述区域特征信息包括下述一项或多项：所述目标键合区域的面积、形状、所述半导体叠层结构的厚度、所述电路基板在所述目标键合区域的布线密度、预先通过仿真或实验标定的热机械应力分布信息；所述目标图案为封闭环状、网格状或点阵状；当所述区域特征信息指示所述目标键合区域为边缘应力敏感区时，确定所述目标图案为封闭环状；当指示为大面积中心区时，确定为网格状；当指示存在局部高强度或高散热需求时，确定为在对应位置加强布置的点阵状； 在所述目标键合区域上形成所述目标图案作为限流框架；在所述限流框架内，形成所述第二固化特性层作为填充层； 将所述半导体叠层结构对准并放置于所述填充层上，施加键合压力，使所述第二固化特性层在所述第一固化特性层的限制与引导下产生受控的横向流动； 在所述键合压力下进行固化，使所述第一固化特性层和所述第二固化特性层固化形成结合界面。

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