华南师范大学许金友获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种有机场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927615B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210485343.6，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种有机场效应晶体管及其制备方法是由许金友;赵子豪;宋佳迅;王兴宇;张玲玉;宋健;廖记辉;周国富设计研发完成，并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种有机场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底的表面制备纳米级沟道阵列，然后在该表面制备栅电极，再在栅电极的表面制备介质层；对介质层的表面进行疏水处理，然后通过物理气相沉积在其上制备有机半导体纳米线阵列层，最后在有机半导体纳米线阵列层的表面制备源电极和漏电极。通过该方法，可有效控制有机半导体纳米线阵列中的纳米线定向有序生长，进而可便于后续源漏电极的制作，整体制作流程简单，易于操作，生产效率高。
本发明授权一种有机场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在衬底的表面制备纳米级沟道阵列； S2、在步骤S1处理后的衬底表面制备栅电极； S3、在所述栅电极的表面制备介质层；所述栅电极与所述介质层的总厚度小于100nm，所述栅电极的厚度为30nm~50nm，所述介质层的厚度为50nm~70nm； S4、对所述介质层的表面进行疏水处理，而后通过物理气相沉积在其上制备有机半导体纳米线阵列层； S5、在所述有机半导体纳米线阵列层的表面制备源电极和漏电极。
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